Магнитостатическое взаимодействие
Cтраница 2
Перспективы применения ЦМД основаны на возможности создания быстродействующих элементов, в которых с использованием генераторов ЦМД и доменопродвигающих устройств осуществляется создание, передвижение и хранение системы закодированных ЦМД. Магнитостатическое взаимодействие между различными ЦМД позволяет создавать логические элементы самых разнообразных типов, Магнитостатическое взаимодействие также используется и в доменопродвигающих схемах. На рис. 3 21 изображена типичная схема Г - типа с управляющей пермаллоевой аппликацией, принцип действия которой понятен без пояснений. При повороте управляющего магнитного поля в плоскости пластинки и аппликации на 2ц по часовой стрелке все существующие ЦМД сдвигаются на один период аппликации вправо, при повороте поля на 2л против часовой стрелки - на один период влево. [16]
Поперечная корреляция магнитных шумов, обусловленная взаимодействием ферромагнитных областей, может наблюдаться в двухслойных ферромагнитных пленках, разделенных диэлектрическим промежутком. Опыт показывает, что при толщине промежутка, не превышающей нескольких десятков им, наблюдается сильное магнитостатическое взаимодействие ферромагитных областей в слоях благодаря взаимодействию полей рассеяния междоменных границ. Однако и в этом случае электродинамические эффекты могут играть существенную роль. [18]
При решении этой сложной физической задачи не удается на основе самых общих представлений микромагнетизма установить однозначную связь между известными и определяемыми физическими величинами. Этим, очевидно, и объясняется то обстоятельство, что к настоящему времени не разработана единая универсальная методика расчета комплексного магнитостатического взаимодействия между ЦМД и управляющей аппликацией, которая позволила бы дать соответствующие рекомендации для построения ЦМД-устройств, оптимальных по своим функциональным свойствам. Общее решение этой задачи связано с непреодолимыми математическими трудностями и поэтому задача решается поэтапно. Во-первых, на начальных стадиях исследований рассматривается взаимодействие изолированного элемента пермаллоевой структуры с изолированным ЦМД. [19]
В данной модели ( рис. 21, в) частица представляется состоящей из прямолинейной цепочки - однородно намагниченных шаров, между которыми имеется магнитостатическое взаимодействие и нет обменного взаимодействия. При Я0 векторы намагниченности всех шаров направлены вдоль оси цепочки. [20]
Перспективы применения ЦМД основаны на возможности создания быстродействующих элементов, в которых с использованием генераторов ЦМД и доменопродвигающих устройств осуществляется создание, передвижение и хранение системы закодированных ЦМД. Магнитостатическое взаимодействие между различными ЦМД позволяет создавать логические элементы самых разнообразных типов. Магнитостатическое взаимодействие также используется и в доменопродвигающих схемах. На рис. 3.21 изображена типичная схема Г - типа с управляющей пермаллоевой аппликацией, принцип действия которой понятен без пояснений. ЦМД сдвигаются на один период аппликации вправо, при повороте поля на 2л против часовой стрелки - на один период влево. [21]
Существуют и другие представления о механизмах самообращения намагниченности в ферримагнитных минералах горных пород. Еще в 1954 г. М. А. Грабовский и А. Н. Пушков показали, что самообращение намагниченности возможно за счет магнито-статического взаимодействия между двумя соприкасающимися образцами минералов: магнетита и пирротина. Предполагается, что магнитостатическое взаимодействие возможно и в природных мелких ферримагнитных зернах, имеющих двухфазное строение. В ряде работ рассматривается возможность самообращения двухфазных минералов за счет обменного взаимодействия между различными фазами. [22]
Третья группа логических устройств - это устройства, в которых для выполнения логических операций используются магнитооптические эффекты. Такие устройства находятся еще в стадии исследований и пока не применялись в практических разработках. Продемонстрируем принцип действия этих устройств на примере осуществления логических операций на основе магнитооптического эффекта Фарадея. Известно, что в процессе эпитак-сиального роста феррогранатовои пленки идет образование двух монокристаллических пленочных слоев на каждой стороне подложки. Так как подложка обычно имеет достаточно большую толщину ( - 0 3 - т - г - 0 5 мм), то между выращенными слоями не существует какого-либо заметного магнитостатического взаимодействия, и они могут быть намагничены произвольным образом. Рассмотрим прохождение поляризованного света через доменные структуры верхнего и нижнего слоев, имеющих различные возможные направления намагниченности вдоль легкой оси. Предварительно предположим, что толщины и магнитные характеристики этих слоев совпадают, а наблюдение проходящего света проводится с помощью системы поляризатор - анализатор, у которой оси поляризации поляроидов установлены взаимно перпендикулярно. [23]
Для создания логических и запоминающих устройств, используемых в качестве носителей информации ЦМД, необходимо решить ряд задач, среди которых важное место занимают вопросы управления движением ЦМД. Для перемещения ЦМД в заданном направлении и фиксации его в определенных положениях широко используют аппликации из тонких пермаллоевых пленок, с помощью которых создают локальные неоднородности магнитного поля. При взаимодействии ЦМД с пермаллоевой аппликацией домен стремится занять устойчивое положение, соответствующее минимуму энергии домена. Перемещением ЦМД в такой системе управляют с помощью плоского вращающегося магнитного поля, которое изменяет направление намагниченности в пермаллоевой аппликации. В качестве управляющих магнитных аппликаций используются [1-3] пермаллоевые структуры типа Т-I, Y-I, X-X и другой формы. Область устойчивой работы таких устройств и скорость продвижения цилиндрических доменов вдоль этих структур зависят от ряда факторов, в том числе от формы и геометрических размеров этих аппликаций. Основная цель теоретических и экспериментальных работ по изучению магнитостатического взаимодействия между ЦМД и управляющей аппликацией направлена на создание таких управляющих элементов, которые позволили бы увеличить плотность размещения информации, скорость продвижения ЦМД, область устойчивой работы схем продвижения ЦМД и тем самым повысить быстродействие и надежность логических и запоминающих устройств на ЦМД. [24]
Страницы: 1 2