Фонон-фононное взаимодействие

Cтраница 1

Фонон-фононные взаимодействия играют определяющую роль в поглощении гиперзвуковых волн ( см. Гиперзвук) в кристаллах, особенно при низких темп-рах, в эффектах нелинейного поглощения УЗ-волн. [1]

Здесь л () характеризует фонон-фононные взаимодействия. [2]

Однако решеточное сопротивление, обусловленное фонон-фононным взаимодействием при переходе из нормального в сверхпроводящее состояние, должно остаться неизменным. [3]

Зависимость некоторых ( испорнс тых окислов от температуры [ О ]. [4]

По мере того как с ростом температуры фонон-фононные взаимодействия усиливаются, влияние степени упорядоченности кристаллической структуры на теплопроводность уменьшается. При температурах, превышающих примерно 1000 К, теплопроводности очень упорядоченного кристалла и стекла имеют один порядок величины. [5]

До температур - 150 - ь - 130 С фонон-фононное взаимодействие мало, и длина свободного пробега фононов определяется рассеянием на границах кристаллитов. Поэтому теплопроводность пропорциональна концентрации фононов, т.е. теплоемкости. При температурах, выше указанных, вследствие рассеяния энергии при фонон-фононном взаимодействии длина свободного пробега уменьшается. При температуре, когда рассеяние на колебаниях кристаллической решетки и на статических дефектах и неоднородностях становятся равными друг другу ( / j / 2), на кривой температурной зависимости теплопроводности появляется максимум. Когда теплоемкость достигает постоянного значения, длина свободного пробега определяется рассеянием на собственных колебаниях решетки - теплопроводность снижается правее максимума, т.е. обратно пропорционально температуре. [6]

Дисперсионная диаграмма встречного колли-неарного взаимодействия бездисперсионных акустических волн. быстрой сдвиговой FT n медленной сдвиговой ST с образованием продольной волны L суммарной частоты. [7]

Исследование нелинейных взаимодействий УЗ-волн в твердых телах важно для определения характеристик фонон-фононных взаимодействий, лежащих в основе процессов установления теплового равновесия, теплопроводности, теплового расширения твердых тел. [8]

Я ( - потолок зоны двучастичных состояний, пунктиром схематически обозначена плотность тих состояний при неучете фонон-фононного взаимодействия. Кривая I отвечает такой ситуации, когда энгармонизм достаточен для образования бифонона. В случае II, отвечающем более слабому энгармонизму, вместо бифонона образуется квазистационарное, резонансное состояние. [9]

Лазерный отжиг происходит в столь короткое время потому, что лазерное излучение поглощается электронной подсистемой за время меньше 10 - 12 с, затем путем последовательного электрон-электронного, электрон-фононного и фонон-фононного взаимодействия энергия передается решетке и нагревает ее. Весь процесс отжига длится - 10 - 8 с, за это время тепло распространяется на глубину диффузии ионов. [10]

Зависимость атомной теплоемкости при постоянном объеме согласно теории Дебая от Г / О.| Температуры Дебая некоторых материалов. [11]

Это фонон-фононное взаимодействие согласно 5 ] может быть разбито на нормальные процессы ( которые не увеличивают термическое сопротивление) и / - процессы, или процессы переброса, в которых импульс не сохраняется. [12]

Приведенные выше рассуждения и выводы о температурной зависимости х, по-видимому, в наибольшей степени должны относиться к одноатомным кристаллам. Возможные варианты фонон-фононного взаимодействия в последнем случае сильно ограничены законом сохранения энергии. Согласно [11], могут осуществляться лишь процессы типа а а о ( а - акустические фононы, о - оптические) и притом, если оптические частоты не слишком велики. [13]

Порожденные энгармонизмом взаимодействия между фоно-нами подразделяются на две группы. Физическая картина нормального фонон-фононного взаимодействия, согласно Дж. Займану [19], выглядит следующим образом. [15]

Страницы: 1 2