Химическое электрохимическое взаимодействие
Cтраница 2
При монтаже диодов не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с элементами конструкции прибора. [16]
В таких вариантах кристаллизационного концентрирования, как направленная кристаллизация водно-солевых эвтектик и экстракционная кристаллизация, важную роль играют процессы химического и электрохимического взаимодействия примесей с растворителем ( водой) или расплавленным экстрагентом. Здесь, как и в некоторых других случаях, концентрирование является физико-химическим, что лишь подтверждает взаимодополняющий характер физических и химических методов аналитического обогащения. [18]
Прежде всего рабочие среды для удобства рассмотрения можно разбить в соответствии с их агрегатным состоянием на две группы: газообразные и жидкие, полагая, что для них характерно соответственно химическое и электрохимическое взаимодействие с металлом. Однако это деление несколько условно, так как не все жидкие среды взаимодействуют с металлом по электрохимическому механизму. [19]
Процесс разрушения протекает самопроизвольно в результате химического и электрохимического взаимодействия металла с окружающей средой. Поэтому коррозионному разрушению подвержены машины работающие и неработающие, причем последние в большей степени. [20]
В качестве покрытия транзисторов применяется лак ПАИ-1. Пря монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и элементами конструкции транзистора. [21]
В качестве покрытия транзисторов применяется лак ПАИ-1. При монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и элементами конструкции транзистора. [22]
В качестве защитного покрытия транзисторов применяется лак ПАИ-1. При монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействия с защитным покрытием и элементами конструкции транзистора. [23]
В качестве покрытия транзисторов применяется лак ПАИ-1. При монтаже не - допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и элементами конструкции транзистора. [24]
Если применительно к некоторым наружным поверхностям металлоизделий ( несущим металлоконструкциям, кузовам и днищам автомобилей, наружным поверхностям сельскохозяйственной техники) еще можно говорить о ржавлении ( ржавчине), иногда доходящем до сквозных поражений листового металла, то для внутренних поверхностей подшипников, прецизионных пар узлов трения, изделий приборостроительной и электронной промышленности и пр. В результате теряются важные эксплуатационные свойства металла в условиях трения, вибрации, высоких нагрузок и частот вращения при химическом и электрохимическом взаимодействии металла с нефтепродуктом и той или иной средой. [25]
При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие перегиб и соприкосновение выводов и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомендуется выводы транзисторов и место термокомпрессии или пайки покрывать лаками. При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [26]
При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие возможность перегиба выводов и соприкосновения их и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомендуется выводы транзисторов и место сварки или пайки закреплять лаками. При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [27]
При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие перегиб и соприкосновение выводов и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомендуется выводы транзисторов и место термокомпрессии или пайки покрывать лаками. При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [28]
При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие возможность перегиба выводов и соприкосновения их и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомендуется выводы транзисторов и место сварки или пайки закреплять лаками. При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [29]
При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие перегиб и соприкосновение выводов и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомендуется выводы транзисторов и место термокомпрессии или пайки покрывать лаками. При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3