Полупроводниковая система

Cтраница 1

Электромашинная система возбуждения с генератором постоянного тока, а - с самовозбуждением возбудителя. б-с подвозбудителем. [1]

Полупроводниковая система возбуждения с высокочастотным возбудителем является основной для турбогенераторов серии ТВВ мощностью 165, 200, 300 и 500 МВт. [2]

Полупроводниковая система возбуждения должна обладать внутренним резервирс ванием. При этом ток возбуждения не должен быть менее тока холостого хода. [3]

Полупроводниковые системы лежат в основе кнтегральных микросхем ( ИМС - микроэлектронных устройств), в которых активные ( диоды, транзисторы) и пассивные ( резисторы, конденсаторы) элементы, а также межэлементные соединения создаются в едином технологическом процессе с использованием групповых; методов изготовления элементов и соединяющих проводников. Элементы ИМС не имеют внешних выводов корпуса и не могут рассматриваться как отдельные изделия. [4]

Схема поджига и подхвата игнитрона ИВУ-50Э / 5А. [5]

Полупроводниковая система сеточного управления с тиристорным выходом ( ССУРП) включает следующие устройства: блок управления, шесть фазосмещающих блоков, шесть блоков тиристорного генератора импульсов и блок суммирующего устройства. [6]

Электронные и полупроводниковые системы в современных производственно-технологических машинах не могут применяться для механизации машинных технологических процессов вследствие их маломощности. [7]

Принципиальная схема системы сеточного управления ти. [8]

Безынерционная полупроводниковая система сеточного управления типа ССУП-4 предназначена для управления многофазным ионным преобразователем. [9]

Применение полупроводниковых систем сеточвого управления вентилями позволило относительно простыми средствам осуществить раздельное управление группами вентилей преобразователя с реверсивным режимом работы. [10]

Схема контактно-транзисторной системы зажигания. [11]

В отечественной полупроводниковой системе зажигания контакты прерывателя разгружены от тока цепи первичной обмотки катушки зажигания, что практически полностью ликвидирует окисление и эрозию контактов. Вследствие этого контакты прерывателя не требуют зачистки в процессе эксплуатации в пределах 100 - 150 тыс. км пробега автомобиля. [12]

В полупроводниковых системах поглощение ионизационного излучения создает в свободной от носителей заряда области пары электрон - дырка, которые перемещаются в зону поля р-п перехода и создают электрический ток. На этом принципе работают полупроводниковые детекторы излучений. Их преимущество состоит в том, что для Образования каждой пары электрон - дырка требуется приблизительно на порядок меньше энергии, чем для образования ионов в газонаполненной ионизационной камере. Поэтому полупроводниковые детекторы обладают на порядок большей чувствительностью. [13]

В полупроводниковых системах поглощение ионизационного излучения создает в свободной от носителей заряда области пары электрон - дырка, которые перемещаются в зону поля р-п перехода и создают электрический ток. На этом принципе работают полупроводниковые детекторы излучений. Их преимущество состоит в том, что для образования каждой пары электрон - дырка требуется приблизительно на порядок меньше энергии, чем для образования ионов в газонаполненной ионизационной камере. Поэтому полупроводниковые детекторы обладают на порядок большей чувствительностью. [14]

В полупроводниковых системах управления в отличие от электромагнитных систем фазосдвигающее устройство не является источником питания генератора импульсов, а лишь управляет им, что предопределяет малую величину мощности фазосдвигающего устройства по сравнению с мощностью выхода генератора импульсов. Это обстоятельство дает прежде всего возможность применения в транзисторных системах тех же принципов фазосмещения, что и в электромагнитных системах, однако фазосдвигающие устройства оказываются здесь весьма маломощными, и, следовательно, их быстродействие и статические характеристики могут быть существенно улучшены. Мы не будем останавливаться здесь на таких устройствах и рассмотрим лишь один принцип, специфичный для чисто транзисторных систем управления, который получил широкое распространение и известен под названием вертикального управления. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5