Полупроводниковая система

Cтраница 3

Вентильный фотоэффект, обнаруживающийся в полупроводниковых системах, - явление сложное. [31]

Для возбуждения турбогенераторов серии ТВФ используется полупроводниковая система независимого возбуждения. В корпус генератора встроены выпрямительное - устройство и возбудитель. Исполнение возбудителя - закрытое, с само-вентйляцией по замкнутому циклу. Подшипники - щитовые с принудительной смазкой. [32]

Таким образом, в области анализа сложных полупроводниковых систем перед аналитиками стоит задача - разработка быстрых и точных методов определения состава сложных полупроводниковых соединений. При этом следует ориентироваться на весь комплекс как классических, так и физико-химических и физических методов анализа. При анализах достаточно крупных монокристаллов или слитков сложных полупроводниковых соединений целесообразно применять объемные или весовые макро - и полу-макрометоды анализа, ориентируясь на навески порядка 50 - 200 мг. Почти для всех компонентов полупроводниковых соединений такие методы хорошо известны. [33]

Вентильный фотоэффект особенно активно протекает в полупроводниковых системах с большой диффузионной длиной неосновных носителей тока и соответственно большим временем их жизни. Это утверждение станет ясным, если мы несколько слов посвятим уточнению понятия диффузионная длина неосновных носителей тока. Это тем более необходимо, что в процессе образования вентильной фотоэлектродвижущей силы диффузия неосновных носителей имеет весьма важное значение. [34]

Диаграмма распределения плотности тока по площади кремниевого тиристора типа УПВК-ЮО. [35]

Для управления тиристорами в быстродействующих управляемых выпрямителях создана полупроводниковая система фазового управления. Принципиальная схема одного капала системы приведена на рис. 2 а. В схеме применен принцип вертикального управлении, так как этот принцип позволяет получить наиболее близкую к идеальной систему фазового управления. [36]

За последние годы значительно расширился температурный диапазон применения полупроводниковых систем охлаждения. Если несколько лет тому назад термоэлектрическое охлаждение охватывало область до температур порядка - 50 - 7 - 1 - 60 С, то в настоящее время имеются микрохолодильники на температуры - 100 С и ниже. Успехи в этом отношении обусловлены применением многократного каскадирования термоэлектрических батарей. [37]

Энергетическая диаграмма двойной гетероструктуры. [38]

Оптимальной для лазера является двойная гетеро-структура, представляющая собой трехслойную полупроводниковую систему, имеющую два гетероперехода. [39]

Диодно-резисторная схема ИЛИ. [40]

В настоящее время для построения ЭЦВМ используют главным образом полупроводниковые системы элементов. [41]

Термо - э.д.с. твердых растворов, приготовленных из образцов SnTe и РЬТе с разным Типом проводимости.| Электропроводность твердых растворов, приготовленных из образцов SnTe и РЬТе с разным типом проводимости. [42]

Прежде всего изменение электропроводности и микротвердости от состава в полупроводниковых системах также подчиняется законам Курнакова: изотерма удельной проводимости проходит через минимум, а изотермы микротвердости - через максимум. [43]

При выполнении практических работ студенты знакомятся с основными методами физико-химического исследования полупроводниковых систем, синтеза и очистки полупроводниковых материалов и, кроме того, с основными технологическими процессами, используемыми при изготовлении полупроводниковых приборов. Каждая работа содержит теоретическое введение, в котором конкретизируется материал, изложенный в соответствующих лекционных курсах, что позволяет проанализировать результаты эксперимента с теоретических позиций. Материал, представленный в этой части, дан в сжатой форме и поэтому для углубленного его усвоения необходимо использовать литературу, список которой приводится в конце работ. [44]

Страницы: 1 2 3 4 5