Скол - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизнь уходит так быстро, как будто ей с нами неинтересно... Законы Мерфи (еще...)

Скол - кристалл

Cтраница 1


Скол кристаллов в высоком вакууме использовался для измерений контактной разности потенциалов на цинке [12], но этот метод не пригоден для исследования адсорбции, так как для каждого измерения необходимо приготовлять новую поверхность. Остается также проблема поверхностной диффузии от остальной части кристалла.  [1]

Исследуя сколы кристалла кальцита по плоскостям спайности, Гаюи в 1784 г. сделал предположение, что постоянство направлений скола связано с существованием в кристалле некоторой структурной единицы, кирпичика, на основе которого можно построить весь кристалл. Форма этого кирпичика зависит от сингонии кристалла.  [2]

Зернистая структура различных слоев, напыленных на поверхность скола кристалла каменной соли.  [3]

У чистого трехкальциевого силиката определена наиболее равномерная структура рельефа поверхности скола кристаллов. Введение модифицирующих добавок в состав твердого раствора приводит к образованию ячеек, значительно отличающихся между собой размерами, однако их форма практически сохраняется. У железосодержащих твердых растворов Сз5 появляется сильно развитый рельеф поверхности на границах блоков. Встречаются отдельные участки с крупноячеистой ( до 0 8 мкм) и мелкоячеистой ( до 0 02 мкм) структурой. Концентрация дислокаций изменяется от 3 0 - Ю12 ( чистый C3S) до 5 8 - Ю13 м - 2 [ 1 2 % ( мол. Для кристаллов C3S, содержащих ионы Na, Ti4, характерно прежде всего образование правильной и наиболее отчетливо прослеживающейся границы блоков, размеры которых изменяются от 1 до 3 мкм.  [4]

Картины декорирования золотом поверхности сколов таких кристаллов резко отличаются от картин декорирования поверхности сколов кристаллов NaCl, выращенных без примеси. Эти включения в большинстве случаев имеют форму цилиндров, так что если поверхность скола пересекает эти цилиндры перпендикулярно или почти перпендикулярно их осям, то включения выявляются на снимках в виде круглых или эллипсоидальных образований.  [5]

Эпитаксиальная кристаллизация полимеров впервые исследовалась в работах Виллемса и Фишера [103, 104]: на сколах щелочно-галогенных кристаллов они наблюдали определенную упорядоченную укладку макромолекул с преимущественной ориентацией как параллельно, так и перпендикулярно поверхности.  [6]

Так, например, картина типа рис. 4, в будет меняться, если наблюдать плоские сколы кристалла, перпендикулярные царапине. Может случиться, что в одном из сечений прерывистые сдвиги станут на место гладких и наоборот. Таким образом, деформированный кристалл имеет в известном смысле волокнистое строение. Из совокупности этих данных видно, что процесс скольжения, разыгрывающийся якобы в одной плоскости и фиксируемый нами обычными приемами как некоторый единичный акт, хотя бы в наблюдениях, проводимых оптическим методом, на самом деле является результатом развития ряда отдельных точечных центров, возможно, даже лежащих в разных плоскостях, не очень далеко отстоящих друг от друга.  [7]

В [138] оценивались энергии разрыва гетероструктуры ( 111) Nb / ( 0001) Al2O3; согласно полученным данным, наиболее вероятен скол кристалла вдоль слоя металлических атомов.  [8]

9 Схема изменения вида электронограмм при эпитакснп Fe / iNaCl в зависимости от температуры конденсации ( 101 ]. относительная интенсивность рефлексов на электронограммах обозначается так. О - сильная, о - средняя, ф - слабая. Вертикальные линии большие и малые соответствуют длинным и коротким дугам. Отсутствие вертикальных линий свидетельствует, что угловая разориентировка отсутствует. [9]

На рис. 46 представлена схема, иллюстрирующая изменение вида электронограмм в зависимости от температуры конденсации для случая образования железной пленки на гладкой поверхности скола кристалла соли. Анализ их показывает следующее. При конденсации железа на NaCl при Тк 450 С и на КС1 при Тк 480 С возникают главным образом п-роиз-вольно ориентированные кристаллы.  [10]

Имеются четыре основных пути получения чистой поверхности, которые были использованы с различным успехом для различных материалов: 1) нагревание в высоком вакууме; 2) бомбардировка положительными ионами; 5) обработка атомарным водородом; 4) скол кристалла в высоком вакууме.  [11]

Поверхности скола не имеют подобных нарушений. Сколы кристаллов получают, согласно Хенигу, прикрепляя цементом верхнюю и нижнюю плоскости кристалла естественного графита к гладким стеклянным пластинкам. Непосредственно скол производится осторожным поворотом стеклянных пластин, после чего цемент полностью удаляют обработкой ацетоном, присутствие которого в дальнейшем не вызывает затруднений.  [12]

Письменный гранит - кристаллы калиевого шпата ( в основном ортоклаз, полностью или частично перешедший в микроклин) с закономерно ориентированными индивидами дымчатых кристаллов ( ихтиоглиптами) кварца. На сколах кристаллов полевых шпатов ихтиоглипты кварца создают своеобразный рисунок, напоминающий клинопись. Характерный камень пегматитовых жил, где служит наиболее надежным признаком ( припас) для поисков драгоценных камней.  [13]

Связь воды с глинистыми минералами при межмолекулярных взаимодействиях возникает в результате гидратации обменных катионов, насыщающих свободные валентности в местах сколов на поверхности кристаллов при изоморфных замещениях. Нескомпен-сированность электростатических сил в сколах кристаллов зависит от места сечений, по которым происходит разрушение решетки. Иногда разрушение решетки может привести к нарушению связей, которые обусловливают гидратацию глинистых минералов не только через обменный катион, но и непосредственно через поляризующее действие электростатических сил.  [14]

При изучении электрического рельефа различных ионных и полупроводниковых кристаллов выявляются дискретные активные центры, представляющие собой точечные дефекты, а также локальные области, различающиеся по своей электрической структуре вследствие избытка тех или иных заряженных дефектов. Так, при исследовании электрического строения поверхности сколов кристаллов LiF [15] декорирующие кристаллы AgCl на ранней стадии термической конденсации AgCl ( средняя толщина слоя 1 А) выявляют наряду с единичными активными центрами квадратные группировки из активных центров. Расстояние между декорирующими частицами в группировках составляет 75 - 100 А.  [15]



Страницы:      1    2