Скопление - дефект
Cтраница 1
 |
Измэнение реологического состояния в зависимости от температуры материала с учетом движения дислокаций с атмосферой чужеродных атомов в кристаллической решетке металла. [1] |
Скопление дефектов продвигается вместе с дислокацией через решетку, причем условия этого продвижения зависят от изменения напряжения во времени и от температуры материала. [2]
 |
Направление центрального луча при.| Направление централъного луча при контроле угловых сварных соединений. [3] |
Скоплением дефектов считают кучное расположение дефектов в количестве не менее трех с расстоянием между ними, равным или меньший трехкратной величины дефекта. [4]
 |
Направление центрального луча при.| Направление центрального луча при контроле угловых сварных соединений. [5] |
Скоплением дефектов считают кучное расположение дефектов в количестве не менее трех с расстоянием между ними, равным или меньшим трехкратной величины дефекта. [6]
К скоплениям дефектов относятся дефекты с кучным расположением в количестве более трех, с расстоянием между ними, равным трехкратной величине дефектов и менее. [7]
К скоплениям дефектов относятся дефекты с кучным расположением в количестве более трех с расстоянием между ними, равным трехкратной величине дефектов и менее. [8]
К скоплению дефектов ( группа В) относятся дефекты с групповым расположением в количестве более трех. [9]
В - скопление дефектов ( более трех), которые напоминают сетку с расстоянием между ними, равным трехкратной величине дефектов и менее. [10]
 |
Диаграммы деформирования при различных условиях иагружения и диаграмма предельных состояний. [11] |
В точках скопления дефектов кристаллической решетки материал подвергается действию местного объемного напряженного состояния с нормальными напряжениями, превышающими касательные напряжения. Координаты этой точки определяют истинную пластическую деформацию рк и истинный предел прочности ок. [12]
 |
Возникновение и перемещение дислокации в процессе сдвига.| Взаимодействие двух движущихся дислокаций в кристалле. [13] |
Дислокации могут возникнуть в местах скопления дефектов кристалла. Как и точечные дефекты, дислокации могут перемещаться в кристалле. [14]
Границы зерен металла служат местами скопления дефектов строения кристаллической решетки. При переходе от одного зерна к другому меняется ориентировка кристаллической решетки. У границ зерен расположен слой атомов, принадлежащих частично кристаллической решетке одного зерна, частично решетке другого. При этом, чем больше различие в ориентировке соседних зерен, тем больше несовершенств на границе между ними. В чистых металлах толщина пограничного слоя составляет величину порядка двух параметров кристаллической решетки. Атомы примесей в металлах стремятся расположиться преимущественно по границам зерен, где кристаллическая решетка уже имеет несовершенства строения и где появление инородного атома вызывает меньшие дополнительные искажения. [15]
Страницы: 1 2 3 4