Скопление - точечный дефект
Cтраница 1
Скопление точечных дефектов и системы дислокаций относятся к объемным дефектам, имеющим значительные размеры в трех измерениях. [1]
 |
Генерация дислокаций из микро-дефектов А-типа. [2] |
Они представляют собой ромбовидные и квадратные скопления точечных дефектов со сторонами по направлениям [110] и [100], залегающие в основном по плоскостям типа [100] ( рис. 55, б), и скорее всего являются преципитатами ( выделениями), состоящими из собственных межузельных атомов кремния и атомов примесей кислорода и углерода. [3]
Наблюдение дислокаций и скоплений точечных дефектов на просвет под электронным микроскопом в тончайших пленках металлов и сплавов, например толщиной около 1000 А, является убедительным методом опытного доказательства их существования. [4]
 |
Влияние величины удельного сопротивления, типа проводимости и облучения на процесс анодного травления германия ( электролит 0 05 н. NaOH. [5] |
К подобным же результатам могут привести скопления точечных дефектов. [6]
Наряду с этим имеется множество сложных и еще малоизученных дефектов структуры, например скопление точечных дефектов в облака, которые превышают атомарные размеры. Различные дефекты структуры часто проявляются в кристалле не в чистом виде: они взаимно влияют друг на друга и могут реагировать друг с другом. [7]
Следует упомянуть еще о существовании трехмерных дефектов решетки, наблюдаемых, в частности, при скоплении точечных дефектов. [8]
Кристаллы, ограниченные гранями с выходами винтовых дислокаций, с дефектами в виде посторонних включений или скоплений точечных дефектов, нарастают без спонтанного образования двумерных зародышей. При этом около дефектов образуются постоянно действующие источники монослоев. [9]
Точечные дефекты ( вакансии, атомы той или иной примеси внедрения, межузельные атомы) могут вызвать неупругое поведение твердого тела в процессе упорядочения под действием напряжения, при котором равновесная конфигурация или степень порядка скопления точечных дефектов под действием приложенных напряжений переходит со временем в новое ( и единственное) состояние. Упорядочение в поле напряжений является примером релаксационного процесса, зависящего от времени перехода в новое термодинамически равновесное состояние в результате изменения внешних условий. [10]
При воздействии лучей с высокой энергией в кристалле наряду с истинными полиморфными превращениями наблюдаются многие другие структурные изменения, как, например, появление отдельных точечных дефектов ( вакансии и атомы в междоузлиях решетки), скоплений точечных дефектов и связанных с ними искажений решетки. [11]
В качестве наиболее общих физико-химических процессов в материалах, которые могут быть связаны в той или иной степени с возникновением отказов, необходимо указать следующие; диффузионные процессы в объеме и на поверхности твердого тела, перемещение и скопление точечных дефектов и дислокаций в кристаллических твердых телах, разрыв химических связей цепей макромолекул полимерных материалов, электролитические процессы, действие поверхностно-активных веществ, структурные превращения в сплав металлов и пр. Закономерности, характеризующие эти явления, являются основой для построения некоторых общих физических моделей отказов и процессов их возникновения. [12]
 |
Схематическое представление дислокаций в матричной структуре ( а к в устойчивых полосах скольжения ( б. [13] |
При этом взаимодействуют все структурные уровни и механизмы пластической деформации. Скопления точечных дефектов или пересечение дислокаций являются источниками полей ближнего порядка, а дислокационные скопления у препятствий - полями напряжений дальнего порядка. Движущиеся дислокации могут преодолевать поля напряжений различными путями. Такими полями напряжений, которые можно преодолеть при низкой энергии активации, например, за счет тепловых флуктуации, являются барьеры Пайерлса-Наббарро и взаимодействия дислокаций с точечными дефектами. Полями напряжений, для преодоления которых требуется более высокая энергия активации, являются поля вокруг различных дислокационных конфигураций. [14]
Пэшли и Пресланд [406] установили, что напыленная золотая пленка, исследуемая в электронном микроскопе, покрывается точками после некоторого времени облучения электронами. Им удалось показать, что это явление обусловлено образованием скоплений точечных дефектов под действием отрицательных ионов, бомбардирующих фольгу в микроскопе. Ионы возникают на катоде, и при использовании оксидных катодов образование радиационных повреждений усиливается. Точки, по-видимому, исчезают при нагреве образца примерно до 300 С; повреждения, возникающие при постоянном нагреве фольги выше этой температуры, состоят из тетраэдров. [15]
Страницы: 1 2 3