Скопление - точечный дефект
Cтраница 2
Известно, что при быстром охлаждении от температур около 1300 на поверхности таких металлов, как никель, в значительной степени сохраняется динамический беспорядок [88] и при закалке может образоваться большое число ( - 1 на 104 частиц) неравновесных вакансий. Исходя из этого, Робертсон пришел к выводу, что процесс скопления точечных дефектов ( как вакансий) является важным фактором в процессе возникновения каталитической сверхактивности. Хотя Робертсон не поясняет, как именно вакансия или группа вакансий могут играть роль активного центра, полученные им результаты можно убедительно пояснить, используя представления об особой активности вакансий. Быстрое исчезновение сверхактивности, которое происходит при разложении муравьиной кислоты, можно объяснить тем, что в ходе каталитической реакции поверхностные атомы металла становятся подвижными. Выполненные Гуотми [77-79] исследования морфологии поверхности подтверждают существование особой подвижности поверхностных атомов во время протекания каталитического процесса. [16]
Поскольку структура пиков смещения в явлении радиационного роста а-урана способствует образованию скоплений точечных дефектов различного знака, это обстоятельство может служить основой для объяснения процесса образования зародышей петель дислокаций межузельного и вакансионного типов. [17]
При переходе же от одного зерна к другому обычно наблюдается полная независимость расположения атомных плоскостей. Границы блоков мозаики так же, как границы зерен, являются местом скопления линейных и точечных дефектов кристаллических решеток. Границы блоков представляют собой поверхностные дефекты. [18]
Облучение протонами и электронами с энергией 8 МэВ не приводит к высокотемпературному радиационному охрупчиванию. Как уже отмечалось, при протонном облучении образуются комплексы радиационных дефектов ( дислокационные петли, скопления точечных дефектов), а при облучении электронами о энергией ниже порога ядерных реакций - преимущественно изолированные точечные дефекты. [20]
Несмотря на большое число работ, посвященных исследованию начальных стадий роста гетероэпитаксиальных слоев, задача получения тонких сплошных пленок не решена. Учитывая, однако, тот факт, что образование зародышей будущего эпитаксиалышго сдоя происходит на скоплениях точечных дефектов [1-3], имеет смысл изменить их концентрацию в подложке, бомбардируя ее поверхность ионами средних энергий, и исследовать влияние этого фактора на кинетику роста. В этом случае одновременная конденсация на облученные и контрольные подложки должна показать разницу в характере формирования конденсированного слоя. Выяснению закономерностей роста пленок PbS на подложках каменной соли с заранее созданными ионной бомбардировкой дефектами посвящена данная работа. [21]
На рис. 4 и 5 заметны мелкие ямки трапления, создающие общий фон. Их расположение при повторной шлифовке и травлении не повторяется; по всей вероятности, пни принадлежат скоплению точечных дефектов. [22]
С учетом изложенной модели можно легко объяснить результаты, представленные на рис. 13, а, которые показывают, что формирование первичных зародышей сдвигообразования на самом деле начинается не непосредственно с поверхности, а на некотором удалении от нее, т.е. в тонком приповерхностном слое. Естественно, что в общем случае спектр зародышей сдвигообразования будет состоять из суммы источников, у одних из которых сдвигообразование начинается непосредственно на свободной поверхности, а у других - - в подповерхностных слоях по изложенной схеме образования скоплений точечных дефектов. [23]
 |
Схема определения вида дефектов. [24] |
При наличии точечных дефектов ( рис. 3.13, а) амплитуда сигнала на экране при прозвучивании их под разными углами остается сравнительно постоянной, но резко уменьшается при перемещении преобразователя вдоль шва. При наличии протяженных дефектов ( см. рис. 3.13 6) при движении преобразователя вдоль дефекта сигнал от него остается сравнительно постоянным; максимальная амплитуда сигнала получается при установке преобразователя перпендикулярно к дефекту. При наличии скопления точечных дефектов ( см. рис. 3.13, в) амплитуда сигнала на экране дефектоскопа сменяется скачкообразно при перемещении преобразователя вдоль зоны дефектов; при кучном расположении дефектов на экране появляется частокол сигналов или один сигнал большой длительности с несколькими вершинами. [25]
У графита, например, поверхность должна быть сначала активирована соответствующими реакциями ( реакция с галогенами или озоном), прежде чем на нее можно будет напылять золото. Так как при химической реакции происходит избирательное воздействие, последующее декорирование дает правильное отображение реальной структуры. Таким путем могут быть обнаружены дислокации, ступеньки скола атомной высоты, скопления точечных дефектов или химических загрязнений. [26]
Заметим, что дефекты кристаллического строения имеют место и в случае гетероэпптаксии на обычных ( необлученных) подложках. Они, как правило, наблюдаются в толстых, сплошных пленках. Установлено, что облучение подложек ионами Не и Аг приводит к увеличению плотности дислокаций и скоплений точечных дефектов по сравнению с дефектностью контрольных пленок. Подобным образом влияет и изменение дозы облучения подложки. [27]
Все эти явления определяют поведение примеси при росте частиц твердой фазы. В процессе роста примесь взаимодействует с компонентами среды с образованием комплексов различного состава, участвует в окислительно-восстановительных, гидролитических и соль-ватационных процессах, протекающих в среде [35-38], при этом в материнской фазе образуются различные формы примеси, которые, не прекращая взаимных превращений, взаимодействуют с дочерней фазой. Каждая форма адсорбируется на поверхности растущих частиц и затем десорбируется, взаимодействует с поверхностными ловушками ( ступенями, выходами на поверхность дислокаций и межблочных границ, скоплениями точечных дефектов [ 26; 39, с. [28]
 |
Схема краевой дислокации.| Схема винтовой дислокации. [29] |
Дислокации представляют собой дефекты кристаллического строения, вызывающие нарушения правильного расположения атомов на расстояниях, значительно больших, чем постоянная решетки. Они возникают случайно при росте кристалла и термодинамически неравновесны. Причинами образования дислокаций могут быть также конденсация вакансий, скопление примесей, действие высоких напряжений. Процесс преобразования скоплений точечных дефектов в линейные идет с уменьшением свободной энергии кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3