Скорость - диффузия - примесь
Cтраница 1
Скорость диффузии примесей в полупроводниках обратно пропорциональна их предельной растворимости. Высокая растворимость примесей наблюдается в случае образования твердых растворов замещения. В случае когда атомы примесей в силу их слабой связи с решеткой не могут замещать узлы, образуются твердые растворы внедрения, область растворимости сужается, так как в междоузельном пространстве может разместиться меньшее количество атомов. Скорость же диффузии примесей по междоузлиям значительно выше скорости диффузии по вакансиям решетки. [1]
Поскольку скорость диффузии примеси в жидкой фазе значительно меньше скорости передвижения фронта кристаллизации, оттесняемая при этом примесь не успевает диффундировать в основную массу жидкости. [2]
Если скорость диффузии примесей больше, чем скорость роста фибрилл, то постепенно повышается концентрация примесей у растущей поверхности кристалла и скорость роста убывает. Однако в большинстве случаев, изученных Кейтом и Падденом, при различных условиях кристаллизации наблюдалась постоянная скорость роста сферолитов в радиальном направлении, что указывает на примерное постоянство концентрации примесей у вершин растущих фибрилл. [3]
Вследствие ограниченности скорости диффузии примеси в расплаве перед продвигающейся поверхностью раздела в расплаве возникает слой с повышенной концентрацией примеси. Однако наличие перемешивания в объеме расплава препятствует развитию этого процесса, и обогащенный примесью слой простирается в расплав лишь на некоторое расстояние бс от поверхности раздела. [4]
В общем, скорость диффузии примесей внедрения значительно выше, чем скорость самодиффузии молибдена. Но при одном и том же количестве второй фазы в молибдене по мере коагуляции частиц пути диффузии между ними увеличиваются, градиент концентрации примеси внедрения между большими и малыми частицами падает, что приводит к уменьшению скорости диффузии примесных атомов. [5]
Количественное изучение диффузионного хвоста [148, 150] показало, что скорость диффузии примесей из подложки в слое толщиной 1 мк, прилежащем к поверхности, существенно выше скорости диффузии в однородном кристалле. [6]
Второй случай имеет место при скоростях роста, сопоставимых со скоростью диффузии примеси в кристалле. В этом случае концентрация легирующей примеси зависит от температуры, скорости роста и кристаллографической ориентации растущей грани. [8]
Из выражений (3.264) и (3.265) следует, что константа массообмена при постоянных условиях процесса зависит от скорости диффузии примеси в паровой фазе. [9]
Хан отрицал наличие равновесия между твердой и жидкой фазами при распределении радиоактивного микрокомпонента вследствие того, что скорость диффузии примеси в твердом теле очень мала ( D - 10 - 20 см / сек) и не может обеспечить за разумный отрезок времени равномерное распределение изотопа по всему объему кристалла. Его сторонники доказывали, что распределение микрокомпонента между раствором и кристаллами является только неравновесным, гетерогенным. [10]
Таким образом, совершенно очевидно, что в целом эффект очистки, достигаемый в кристаллизационной колонне, зависит от скорости диффузии примеси в движущихся по колонне кристаллах. Это предположение и лежит в основе модели, согласно которой лимитирующей стадией процесса массообмена в кристаллизационной колонне является диффузия в твердой фазе. В соответствии с этой моделью размер кристаллов, составляющих твердую фазу, играет большую роль в процессе массообмена. Экспериментальная проверка показала, что указанная модель хорошо согласуется с результатами опытов. Поэтому рассмотрим ее подробнее. [11]
При наличии в расплаве примесей, не образующих твердых растворов с основным веществом, скорость роста кристаллов еще больше зависит от скорости диффузии примеси в объеме жидкой фазы, чем в предыдущем случае. [12]
При наличии в расплаве примесей, не образующих твердых растворов с основным веществом и не являющихся поверхностно-активными веществами, скорость роста граней кристаллов сильно зависит от скорости диффузии примеси в объеме жидкой фазы. Если расплав охлаждается достаточно медленно, то примесь, оттесняемая растущей гранью, успевает путем диффузии отводиться от границы раздела фаз в глубь расплава. В этом случае форма растущего кристалла мало зависит от концентрации примесей в жидкой фазе. [13]
При рассмотрении вопросов примесной стойкости необходимо учитывать, что сульфидные люминофоры активно сорбируют примеси из растворов, и поэтому примесная стойкость зависит как от удельной поверхности порошка люминофора, увеличиваясь с ростом последней, так и от длительности контакта с раствором. На скорость диффузии примеси в люминофор влияет температура отжига, состояние поверхности зерна люминофора, наличие в ней дефектов, а также специально нанесенных защитных поверхностных пленок. Диффузия ионов тяжелых металлов зависит и от степени сформированное решетки основы. [14]
Если скорость диффузии примесей больше, чем скорость роста фибрилл, то постепенно повышается концентрация примесей у растущей поверхности кристалла и скорость роста убывает. Однако в большинстве случаев, изученных Кейтом и Падденом, при различных условиях кристаллизации наблюдалась постоянная скорость роста сферолитов в радиальном направлении, что указывает на примерное постоянство концентрации примесей у вершин растущих фибрилл. [15]
Страницы: 1 2 3