Cтраница 2
Существенным преимуществом данного процесса является сравнительно низкая температура подложки. При этой температуре скорость диффузии примесей ничтожно мала, что позволяет получать резкие р - п - переходы на границе подложка - пленка. [16]
Существенным преимуществом данного процесса является сравнительно низкая температура подложки. При этой температуре скорость диффузии примесей ничтожно мала, что позволяет получать резкие р - n - переходы на границе подложка-пленка. [17]
При существенной разнице в летучестях основы и примесей использование метода испарения позволяет понизить пределы обнаружения до 10 - 5 %, а в ряде случаев еще ниже. Применение методов испарения требует тонкого измельчения пробы, поскольку скорость диффузии примесей в твердой фазе мала. [18]
Это объясняется различием во взаимодействии дислокаций с растворенными атомами и различием скорости диффузии примесей в решетках разных типов. [19]
При жестком облучении нейтронами или другими высокоэнергетическими частицами кристаллическая решетка металла претерпевает изменения, напоминающие те, что происходят при глубокой холодной деформации. Появляются вакансии в решетке, меж-узельные атомы, дислокации; это увеличивает скорость диффузии специфических примесей или легирующих компонентов. Существуют два типа пиков: термические, при которых практически все атомы остаются на своих местах в решетке, и пики смещения, когда множество атомов перемещается в междоузельные положения. [20]
В кристаллической решетке металла вследствие облучения нейтронами или другими энергетическими частицами происходят изменения, во многих отношениях напоминающие вызываемые сильной холодной деформацией. В решетке появляются вакансии, междоузельные атомы и дислокации: все эти дефекты вызывают увеличение скорости диффузии специфических примесей или легирующих компонентов. В процессе облучения могут происходить локальные повышения температуры - температурные пики, которые подразделяются на два вида. Одни пики относятся к случаям, когда атомы или совсем не покидают свои места в кристаллической решетке либо покидают их в незначительном количестве. Другие пики характеризуются переходом многих атомов в междоузлия кристаллической решетки. [21]
Максимальное разделение зонной плавкой получается при отсутствии диффузии в твердой фазе и однородности концентрации в жидкой зоне. Эти условия могут быть достигнуты путем подбора такой скорости затвердевания, которая была бы велика по сравнению со скоростью диффузии примеси в твердой фазе и мала по сравнению со скоростью диффузии в жидкой зоне. Практически скорость затвердевания должна быть очень малой величиной, так как в реальном случае диффузия в твердой фазе отсутствует, а в жидкой она достаточно мала даже при малых скоростях движения зоны, измеряемых в сантиметрах в час. Для достижения более высокой скорости и эффективности процесса было введено перемешивание вещества в расплавленной зоне. [22]
Описанный эксперимент может служить в качестве иллюстрации понятия кинетические примеси. Кейт 15, 16 ] высказал предположение о том, что процесс разрыхления кристаллических фибрилл в сферолитах, а также скорость кристаллизации сферолитов определяются скоростью диффузии некристаллизующихся примесей, скапливающихся на периферии сферолитов. [24]
Если суммарный поток атомов основного вещества и примеси невелик, то атомы примеси успевают испариться с поверхности конденсации. Если же общее число атомов, оседающих на поверхность конденсации в единицу времени, велико и происходит беспорядочная кристаллизация, то часть атомов примеси будет принудительно захвачена конденсатом. Поскольку скорость диффузии примесей в кристалле меньше, чем скорость наращивания конденсата, то их последующее удаление из массы конденсата не может произойти. В этих условиях очистка при конденсации будет менее эффективной и состав конденсата будет изменяться с изменением состава паровой фазы; некоторое повышение степени очистки может быть достигнуто путем значительного увеличения площади поверхности конденсации. [25]
Низкомолекулярные и нерегулярные цепи играют роль примесей, и при кристаллизации, как уже упоминалось, имеет место фракционирование полимера. В результате такого процесса происходит накопление примесей у поверхности растущих граней и последующая диффузия их от растущего фронта. Скорость роста и скорость диффузии примесей определяют морфологию возникающих кристаллов. [26]
![]() |
Схема установки для зонной плавки ТФХС. [27] |
Очистка трифенилхлорсилана зонной плавкой. Технологический процесс заключается в последовательном расплавлении и кристаллизации узких зон длинного образца материала. Вследствие существенного различия скоростей диффузии примесей в твердой и примыкающей к ней расплавленной зонах происходит концентриро. [28]
![]() |
Схема ректифицирующей части пленочной колонны. [29] |
Член, стоящий в левой части уравнения (3.163), выражает скорость извлечения примеси из рассматриваемого элемента объема потоком пара. Член, стоящий в правой части уравнения, обусловлен существованием радиального концентрационного градиента вследствие разницы в составах пара между точками, лежащими на воображаемой оси парового потока и на границе с жидкостью. Следовательно, этот член выражает собой скорость диффузии примеси в радиальном направлении. Этим объясняется знак минус, стоящий в правой части уравнения. [30]