Скорость - дрейф - носитель
Cтраница 1
Скорость дрейфа носителей в полупроводниках с ростом напряженности электрического поля возрастает не беспредельно. За счет падения подвижности носителей при некотором значении напряженности электрического поля наступает насыщение скорости дрейфа носителей. Так, например, для германия максимальная скорость дрейфа носителей составляет УМакс 5 - 10в см / сек, а насыщение скорости дрейфа происходит при напряженности поля в переходе Е 10 000 в / см. В подавляющем большинстве практических случаев напряженность поля ( особенно в широких переходах) будет превышать эту величину. [1]
 |
Полупроводниковый модулятор с инжекцией носителей. а - общий вид полупроводника и волновода ( сечением 7 11x3 56 мм для рабочей частоты 35 Ггц. б - затухание как функция управляющего напряжения. [2] |
Скорость дрейфа носителей в германии, как видно из рис. 4.16, а, при возрастании электрического поля стремится к пределу. На сверхвысоких частотах подвижность для данных условий определяется крутизной этой кривой. [3]
Когда скорость дрейфа носителей тока превысит скорость звука, происходит интенсивная генерация фонояов и появившийся вследствие этого акустоэлектрич. [5]
 |
Возникновение э. д. с. Холла. [6] |
Подвижность равна скорости дрейфа носителей тока в электрическом поле единичной напряженности. [7]
 |
Туннели-рование электронов из валентной зоны в зону проводимости при сильном электрическом поле в полупроводнике. [8] |
В сильных электрических полях скорость дрейфа носителей заряда соизмерима с тепловой скоростью; носители заряда на длине свободного пробега приобретают в электрическом поле энергии, соответствующие кинетическим энергиям теплового хаотического движения. При этом распределение носителей заряда по энергетическим уровням соответствует большим температурам, чем температура кристаллической решетки, которая остается практически неизменной. Это явление называют иногда разогревом носителей. На подвижность носителей явление разогрева может влиять по-разному. [9]
Максимальная полезная мощность растет с увеличением ширины запрещенной зоны и скорости дрейфа носителей, следовательно, в этом отношении на первом месте арсенид галлия, на втором кремний и на третьем германий. [10]
Однако при уменьшении размеров электрическое поле в области стока возрастает и скорость дрейфа носителей выходит на насыщение, поэтому эффект снижения подвижности уже не играет определяющей роли. Особенность КНС-техноло-гии заключается в использовании изолирующей подложки. В настоящее время МОП-структуры пока не являются главным направлением применения КНС-технологии, однако на ее основе были созданы вентильные матрицы с 8 - Ю3 вентилей и временем задержки 0 9 нс / вентиль. [12]
Пьеэотранзистор полевой - униполярный полевой транзистор, в котором механическое напряжение изменяет скорость дрейфа носителей зарядов; стабильность таких транзисторов выше, чем пьезотран-зисторов. [13]
Пьезотранзистор полевой - униполярный полевой транзистор, в котором механическое напряжение изменяет скорость дрейфа носителей зарядов; стабильность таких транзисторов выше, чем пьезотран-зисторов. [14]
 |
Распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области р-гс-перехода в различные моменты времени при работе лавинно-пролетного диода в режиме с захваченной плазмой. [15] |
Страницы: 1 2 3