Скорость - дрейф - носитель
Cтраница 2
Принцип действия при этом режиме работы связан с тем, что скорость перераспределения электрического поля в структуре диода может значительно превышать скорость дрейфа носителей заряда. На рис. 3.59 показано распределение напряженности электрического поля в слаболегированной n - области р - п-п - структуры лавинно-пролетного диода в различные моменты времени после включения диода на обратное напряжение, превышающее пробивное напряжение. В первый момент ( t) напряженность электрического поля максимальна около металлургической границы. Именно здесь из-за ударной ионизации начинается образование электронно-дырочной плазмы. Это приводит к перераспределению электрического поля в п-области. [16]
 |
Распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области p - n - перехода в различные мо менты времени при работе лавинно-пролетного диода в режиме с захваченной плазмой. [17] |
Принцип действия при этом режиме работы связан с тем, что скорость перераспределения электрического поля в структуре диода может значительно превышать скорость дрейфа носителей заряда. На рис. 3.59 показано распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области р - п-п - структуры лавинно-пролетного диода в различные моменты вре-мени после включения диода на обратное напряжение, превышающее пробивное напряжение. В первый момент ( t) напряженность электрического поля максимальна около металлургической границы. Именно здесь из-за ударной ионизации начинается образование электронно-дырочной плазмы. Это приводит к перераспределению электрического поля в п-области. [18]
При изменении напряжения коллектора изменяется емкость коллекторного перехода, изменение же напряжения эмиттера приводит, кроме изменения емкости его перехода, к изменению скорости дрейфа носителей в области базы. [19]
Аналитическое приближение (8.5) построено в предположении, что: 1) скорость имин в минимуме зависимости v ( E) слабо зависит от концентрации примесей; 2) скорость дрейфа носителей vn линейно меняется с изменением подвижности носителей. [20]
 |
Структура лавинно-пролетного диода типа p - n - i - n и распределение напряженности поля в ней. [21] |
Скорость дрейфа носителей заряда возрастает с напряженностью поля лишь до определенной величины. Начиная с некоторого значения напряженности поля скорость дрейфа перестает практически расти. [22]
 |
Тепловое возбуждение и рекомбинация. [23] |
Установившееся значение средней скорости носителей в условиях приложения электрического поля напряженностью Е называют скоростью дрейфа. Подвижность электронов представляет собой скорость дрейфа носителей при действии электрического поля единичной напряженности. [24]
Свойства горячих носителей отличаются от свойств популяций носителей, находящихся в тепловом равновесии с решеткой. В частности, зависимость скорости дрейфа носителей от поля отклоняется от линейного закона, который выполнялся при более низких полях. Это иллюстрируется рис. 10.1, где скорость схематически изображена в виде функции приложенного поля для электронов в ( кремнии. Дырки в кремнии и оба типа носителей в германии имеют подобный тип зависимости. Из рисунка можно видеть, что по мере увеличения поля скорость дрейфа постепенно замедляет рост, пака наконец не достигнет насыщения. Насыщение происходит из-за электрон-фононных столкновений, ( которые, как можно показать, исходя из условий энергетического баланса, позволяют достигать скорости дрейфа, уже не зависящей от приложенного поля. [25]
После генерации слой носителей под действием электрического поля напряженностью UA / L движется через образец. Из-за того что импульс света имеет конечную длительность, скорости дрейфа носителей характеризуются статистическим распределением, а также существует градиент концентраций созданных светом носителей, ширина слоя носителей во время движения через кристалл возрастает. Предполагая, что в момент времени t 0 передний фронт импульса имеет бесконечную крутизну и что вклад в ток дает только дрейфовая компонента, получим, что за время пролета tT передний фронт импульса должен сместиться на расстояние, примерно равное DtT. Поскольку равновесие между ловушками и движущимися носителями устанавливается достаточно быстро, наличие одинаковых мелких дискретных ловушек не будет нарушать гауссов характер дрейфа, а приведет лишь к уменьшению дрейфовой подвижности. [26]
Скорость дрейфа носителей в полупроводниках с ростом напряженности электрического поля возрастает не беспредельно. За счет падения подвижности носителей при некотором значении напряженности электрического поля наступает насыщение скорости дрейфа носителей. Так, например, для германия максимальная скорость дрейфа носителей составляет УМакс 5 - 10в см / сек, а насыщение скорости дрейфа происходит при напряженности поля в переходе Е 10 000 в / см. В подавляющем большинстве практических случаев напряженность поля ( особенно в широких переходах) будет превышать эту величину. [27]
Подвижность ионов в очень широких пределах напряженностей электрических полей не зависит от напряженности. Лишь при очень большой напряженности порядка миллионов вольт на сантиметр наблюдается отклонение от прямой пропорциональности между напряженностью поля и скоростью дрейфа носителей зарядов, что, согласно (32.2), означает зависимость подвижности от напряженности. Следовательно, вплоть до напряженностей в миллионы вольт на сантиметр формула (32.11) выражает закон Ома. [28]
Волны объемного заряда и пространственной перезарядки при наличии отрицательной дифференциальной проводимости могут оказаться нарастающими. Если 4nod / e 1 / t, то нарастают волны объемного заряда и возникает ганновский домен, движущийся со скоростью дрейфа носителей; если же 4nod / e 1 / т, то нарастают волны перезарядки и образуется медленный домен. Плазма может оказаться неустойчивой при нарастании волн перезарядки и в отсутствие ОДП из-за разогрева носителей. [29]
 |
Принцип действия СПРАЙТ-детектора. [30] |
Страницы: 1 2 3