Cтраница 4
Чтобы использовать метод подбора для определения скорости на реакционной поверхности раздела kt и скорости зародышеобразования k go, необходим специальный расчет. Поскольку скорость kg0 находят из величин kt и - 4s ( 0), достаточно определить первую из них. При условии замены времени t на t можно воспользоваться уравнениями, выведенными для случая, когда отсутствует период индукции. [46]
Тодобный разрыв в обратимости процесса кристаллизация-плавле-ше возможен также для жестких макромолекул, если скорость вторич-юго зародышеобразования ограничивает скорость роста кристалла. [47]
Подсчитав с помощью уравнения ( 25) предельную концентрацию зародышей, можно экспериментально определить скорость зародышеобразования. [48]
Выражение ( 6), описывающее идеализированный процесс, справедливо в случае, когда скорость зародышеобразования кристаллитов фазы АВ достаточно велика. [49]
Таким образом, константы и характеристические множители предварительных стадий реакции логически входят в выражение для скорости зародышеобразования. [50]
Для этого случая на рис. 3.2, б показаны изменения концентрации [ М ], скорости зародышеобразования dy / dt и числа зародышей у в зависимости от времени. [51]
Исходя из уравнений ( 7) или ( 9), можно ожидать, что скорость зародышеобразования / будет изменяться так, как показано на фиг. [52]
Сопоставляя эти данные с влиянием w на суммарную скорость кристаллизации v, которая складывается из скоростей зародышеобразования и роста, можно сделать вывод, что скорость роста G гораздо более чувствительна к изменению конфигурации молекулярных цепей ( как, по-видимому, и к другим видам нерегулярности цепей), чем скорость зародышеобразования. [53]
Опыты, проведенные на деионизованной воде, показали, что импульсное магнитное поле не влияет на скорость зародышеобразования кристаллической фазы в ней. Отсутствие влияния импульсного поля на кристаллизацию деионизованной воды свидетельствует о том, что результат действия магнитного поля на воду, содержащую ионы, нельзя объяснить разрушением пристенных слоев у поверхности стекла. [54]
Случаи медленного осаждения часто обусловлены низкой скоростью образования электронейтральных агрегатов, но еще чаще низ кой скоростью зародышеобразования относительно сложной кристаллической структуры или медленностью последующих диффузионных стадий дальнейшего роста кристаллов. Именно медленное образование кристаллов объясняет явление перенасыщения, обнаруживаемое во многих реакциях осаждения. [55]