Cтраница 2
Достигнув максимума, скорости зарождения и роста кристаллитов начинают снижаться, так как подвижность атомов с понижением температуры понижается. [16]
Методом ингибирования определены скорости зарождения радикалов в начальной стадии и в развившейся реакции. Процесс окисления протекает по цепному разветвленному механизму с длиной цепи - 170 звеньев. [17]
Экспериментальные данные по скорости зарождения свободных радикалов удовлетворительно совпадают с вычисленными по этому уравнению. [18]
Это быстрое изменение скорости зарождения с изменением движущей силы является характерной особенностью всех процессов зарождения. Когда превращение протекает при охлаждении, Iv быстро возрастает от нуля при ТкК до некоторого максимального значения, после чего снова понижается. Это понижение связано с наличием множителя ехр - & gm / kT), так как Д яг почти не зависит от температуры. [19]
![]() |
Влияние степени переохлаждения на критический размер зародыша.| Зависимость скоростей зарождения центров. [20] |
Приведенная закономерность увеличения скоростей зарождения и роста кристаллов справедлива только до определенной степени переохлаждения, достигнув максимума, скорости начинают снижаться. Это связано с тем, что и зарождение, и особенно рост кристаллов требуют непрерывного поступления атомов к местам их образования и роста, а подвижность атомов с понижением температуры уменьшается. Таким образом, с увеличением степени переохлаждения скорости зарождения и роста кристаллов повышаются, пока определяющим фактором является уменьшение свободной энергии металла, и начинают снижаться после того, как решающее значение приобретает уменьшение подвижности атомов. [21]
С увеличением переохлаждения А скорости зарождения w3 и роста УЛ кристаллов возрастают, поэтому скорость образования кристаллической фазы и линейная скорость перемещения границы раздела фаз повышаются. [22]
В неразветвленной цепной реакции скорость зарождения радикалов равна скорости их гибели в процессе рекомбинации. [23]
Образование осадка может определяться скоростями зарождения и роста частичек, а также скоростью их осаждения в растворе. [24]
Из уравнения следует, что скорость зарождения ц.к. будет увеличиваться с уменьшением Ак, а эта последняя уменьшается с возрастанием переохлаждения. [25]
В результате конкуренции этих эффектов скорость зарождения w3 с ростом & Т проходит через максимум, что часто согласуется с опытными данными. [26]
Практически это означает, что скорость зарождения очень мала при небольших степенях пресыщения и резко возрастает с увеличением I, когда уже невозможно рассматривать этот процесс как квазистационарный. На концентрацию асфальтенов в системе будут влиять два параллельно идущих процесса - образование асфальтенов в результате деструктивной полинонденеа-цин я их связывание в ассоциаты. Можно рассмотреть два возможных варианта, В случав, когда скорость образования асфальтенов равна скорости их ассоциирования, критический радиус будет изменяться в узких пределах. Когда же скорость ассоциирования превалирует, что и наблюдается в реальных системах, критический радиус ассоциа-ча. [27]
При фотохимическом инициировании цепного процесса скорость зарождения радикалов не зависит от температуры. [28]
Это уравнение свидетельствует, что скорость зарождения частиц возрастает с ростом молекулярной массы чрезвычайно быстро, так как при низких концентрациях, существующих при осаждении нерастворимого полимера, In ф - большое отрицательное число. [29]
Тамман установил определенную связь между скоростью зарождения и скоростью роста кристаллов в зависимости от переохлаждения металла. [30]