Cтраница 2
Диоды допускают параллельное соединение без добавочных резисторов. Диоды допускают последовательное соединение, при этом рекомендуется каждый диод шунтировать выравнивающим конденсатором. [16]
Диоды допускают заливку диэлектрическими компаундами при температуре не более 393 К. [17]
Диоды допускают разовые перегрузки импульсами обратного тока, не более 3 А длительностью не более 50 мкс. [18]
Диоды кремниевые мезадиффузионные лавинные. [19]
Диоды кремниевые диффузионные лавинные. [20]
Диод кремниевый эпита к-сиальный. Предназначен для использования в селек рах телевизионных каналов и схемах высокочастотных детекторов. [21]
Диоды кремниевые, эпитаксиальные со структурой типа p - i. Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастотных-резистивных элементов. [22]
Диоды кремниевые сплавные, микромодульные. [23]
Диоды кремниевые сплавные, микромодульные. Предназначены для применения в Заливных и кап-сулированньпс микромодулях. [24]
Диоды арсенид-галлиевые эпитак-сиально-планарные с барьером Шот-тки. Предназначены для использования в импульсных схемах пико - и наносекундного диапазона. [25]
Диоды изготовлены методом ионно-лучевой технологии. [26]
Диоды арсенид-галлйевые туннельные сплавные. Предназначены для работы Ъ усилителях. [27]
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. [28]
Диоды арсенид-галлиевые туннельные сплавные. Предназначены для работы в генераторах. [29]
Диоды арсенид-галлиевые туннельные меза-сплавные. [30]