Cтраница 3
Диоды арсенид-галлиевые туннельные мезасплавные. [31]
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. [32]
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в быстродействующих переключающих схемах. [33]
Диоды арсенид-галлиевые туннельные сплавные. Предназначены для работы в переключающих схемах. [34]
Диод германиевый туннельный мезасплавной. N Предназначен для работы в переключающих схемах. [35]
Диоды - германиевые туннельные мезапланарные. Предназначены для работы в переключающих устройствах субнаносекундного диапазона. [36]
Диоды 1И308Б, 1И308Д при температуре от 333 до 343 К и 1И308Ж, 1И308К при температуре от 323 до 343 К в статическом режиме должны работать на первой восходящей ветви вольт-амперной характеристики. [37]
Диоды арсенид-галлиевые туннельные мезапланарные. Предназначены для работы в - переключающих схемах в герметизированной аппаратуре. [38]
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в переключающих устройствах, детекторах, смесителях. [39]
Диоды арсенид-галлиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в переключающих устройствах, детекторах, смесителях. [40]
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в быстродействующих переключающих устройствах. [41]
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в преобразователях и детекторах сантиметрового диапазона волн. [42]
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитакс иальные с барьером Шоттки. [43]
Диод Д ] предназначен для того, чтобы обратное напряжение в рассмотренном режиме было приложено к закрытым диодам, а не к транзистору, который на это не рассчитан. Сопротивление R служит для ограничения тока разряда конденсатора значением, допустимым для транзистора. [44]
Диоды кремниевые сплавные с p - i - n структурой. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов. [45]