Cтраница 1
![]() |
Машина для нанесения защитного покрытия на документы. [1] |
Скорость нанесения пленки 0 8 м / мин. [2]
Скорость нанесения пленки определяют по двум величинам: скорости испарения, характеризующей поток испаряемого материала, и скорости осаждения, характеризующей рост пленки на подложке. [3]
![]() |
Схема компенсации заряда с помощью электронного пучка.| Устройство для распыления ионным пучком. [4] |
Наряду с повышением скорости нанесения пленки в 3 - 4 раза по сравнению с обычным ионным источником значительно улучшается равномерность толщины слоев по подложке. [5]
![]() |
Зависимость скорости нанесения молибденовых пленок от температуры подложки для различных напряжений смещения на подложке. [6] |
Механизм влияния кислорода на скорость нанесения пленок совершенно иной. Он был предложен Джоун-сом и др. [53] для случая ВЧ распыления SiOj. Если предположить, что мишень из SiO2 распыляется слой за слоем, то это означает, что с мишени должны последовательно удаляться слои атомов кислорода и атомов кремния. Однако если атомы кислородного слоя, который удаляется распылением, немедленно замещаются атомами кислорода из окружающей распылительной атмосферы, то распыление, в принципе, не сможет продвинуться дальше первого слоя. На практике же этот эффект имеет насыщение при парциальном давлении кислорода порядка 5 - 10 - 4 мм рт. ст. В этом случае скорость нанесения равна приблизительно половине скорости, полученной при распылении в чистом аргоне. Это означает, что если парциальное давление кислорода будет выше указанного, то распыляемые атомы кислорода будут сразу же замещаться кислородом из газового окружения, и что примерно 50 % материала мишени распыляется из более глубоких слоев. [7]
![]() |
Зависимость скорости нанесения пленок смешанных окислов свинца и теллура от катодного напряжения. [8] |
Как было показано ранее, скорость нанесения пленок ионным распылением почти не зависит от катодного напряжения в области высоких напряжений, но прямо пропорциональна плотности тока на катоде в широком интервале токов. Петере и Мантелл [91] показали, что во время реактивного распыления ( по крайней мере в случае пленок смешанных окислов свинца и теллура) скорость нанесения пленок фактически уменьшается при высоких напряжениях на катоде. Это иллюстрирует рис. 22, на котором показана зависимость скорости нанесения пленок, отнесенной к единице катодного тока, от энергии ионов, бомбардирующих мишень. Независимыми экспериментами было установлено, что скорость нанесения линейно возрастала с повышением тока на катоде и слабо зависела от давления распыляющего газа. [9]
При давлении силана 130 Па обеспечивается скорость нанесения пленок от 100 до 1000 нм / мин. При изменении полярности приложенного напряжения ( подложкодер-жатель становится анодом) скорость роста пленок уменьшается примерно в десять раз. [10]
По физическим принципам методы измерения толщины и скорости нанесения пленок можн. [11]
Таким образом, методы измерения толщины и скорости нанесения пленок, несмотря на разнообразие физических принципов, обладают универсальностью и могут быть использованы для измерения как параметров потока испаряемого материала, так и параметров пленки, осаждаемой на подложку. Для этих целей наибольшее применение нашли резистивный, резонансно-частотный и ионизационный методы. [12]
Режим испарения контролируют по омметру и вольтметру, а скорость нанесения пленки - ионным датчиком. Толщина пленки зависит от времени напыления, свойств испаряемого металла и давления в рабочей камере. [13]
Видно, что при напряжениях выше 2500 В увеличение скорости нанесения пленок незначительно, даже если мощность, подводимая к устройству, непрерывно возрастает. Таким образом, если мощность источника питания ограничена, то лучше проводить ионное распыление при большой плотности тока и низком напряжении. [14]
![]() |
Зависимость скорости нанесения пленок SiO2 методом реактивного распыления от процентного содержания кислорода в распылительной атмосфере. [15] |