Cтраница 2
Эти авторы установили, что при постоянных давлении газа и плотности тока скорость нанесения пленок смешанных окислов на основе свинца и титана была по существу одной и той же, независимо от того, использовался чистый кислород или же его смесь с инертным газом. Так как, по-видимому, имелись другие преимущества, связанные с применением чистого кислорода, ему в данном случае и было отдано предпочтение. [16]
Было установлено, что на качество пленок нитрида кремния, кроме давления распыляющего газа, существенно влияет и скорость нанесения пленок. На этом рисунке низкая скорость травления пленок означает их большую плотнвсть и, следовательно, высокое качество. [17]
![]() |
Зависимость скорости нанесения молибденовых пленок от давления распыляющего газа.| Влияние Н2, Не и О2 на скорость нодесснгш пленок МО. [18] |
Если во время ионного распыления в атмосфере аргона присутствует несколько примесных газов, то каждый из яих может привести k значительному уменьшению скорости нанесения пленки. [19]
Методы первого типа позволяют непосредственно измерять массу ( или толщину) пленки в процессе нанесения, а методы второго и третьего типов - скорость нанесения пленки. [20]
Можно отметить и такие достоинства этого метода, как возможность получения пленочных структур на подложках и ранее нанесенных слоях, изготовленных из самых различных металлов, диэлектриков и полупроводников, хорошую адгезию напыляемых пленок, разнообразие методов контроля толщины и скорости нанесения пленок, наличие соответствующей контрольно-измерительной и регулирующей аппаратуры, малый уровень загрязнений при проведении технологического процесса, возможность варьирования в широких пределах режимами и, наконец, наличие достаточно простых методов получения рисунка пленочных структур. [21]
![]() |
Индуктивная ( а и емкостная ( б схемы нанесения пленок аморфного кремния a - Si. Н разложением силана в тлеющем разряде. [22] |
Безэлектродные высокочастотные системы возбуждения и поддержания тлеющего разряда с помощью индуктора, расположенного снаружи рабочей камеры ( рис. 6, а), обычно работают при частоте напряжения питания индуктора в диапазоне от 0 5 до 13 5 МГц ( давление силана от 10 до 270 Па) и обеспечивают скорость нанесения пленок 10 - 100 нм / мин. Основной их недостаток - неоднородность наносимых пленок a - Si: Н, связанная с ограниченными размерами рабочей камеры. [23]
Скорость нанесения пленки при этом методе зависит от напряжения между катодом и подложкой, давления в системе и ионного тока. Недостатком метода является то, что подложка нагревается за счет излучения кзтода, температура которого может достигать 1600 С. [24]
![]() |
Общий вид машины ИМЛ для. [25] |
Разработано несколько схем плакирования металла пластмассой76, причем процессы ведутся на автоматических и полуавтоматических конвейерных Линиях. Скорость нанесения пленки на современных установках достигает 60 - 80 м / мин. [26]
Скорость нанесения пленки 1 м / мин. [27]
Как было показано ранее, скорость нанесения пленок ионным распылением почти не зависит от катодного напряжения в области высоких напряжений, но прямо пропорциональна плотности тока на катоде в широком интервале токов. Петере и Мантелл [91] показали, что во время реактивного распыления ( по крайней мере в случае пленок смешанных окислов свинца и теллура) скорость нанесения пленок фактически уменьшается при высоких напряжениях на катоде. Это иллюстрирует рис. 22, на котором показана зависимость скорости нанесения пленок, отнесенной к единице катодного тока, от энергии ионов, бомбардирующих мишень. Независимыми экспериментами было установлено, что скорость нанесения линейно возрастала с повышением тока на катоде и слабо зависела от давления распыляющего газа. [28]
Для возбуждения и поддержания тлеющего разряда на электроды подается напряжение частотой, как правило, 13 5 МГц. Давление силана обычно составляет 0 7 - 30 Па. Скорость нанесения пленок около 50 нм / мин. [29]
![]() |
Зависимость коэффициента распыления никеля, молибдена, вольфрама и платины от угла падения ( относительно нормали к поверхности мишени ионов ртути с энергией 200 эВ. [30] |