Скорость - образование - покрытие
Cтраница 2
По данным [289], скорость выделения КП Ni - Р - SiC ( d 0 - 3 мкм) ниже скорости образования покрытий с оксидом алюминия и составляет 0 25 мкм / мин. [16]
 |
Зависимость скорости осаждения покрытия от плотности загрузки ванны. [17] |
В табл. 7 приведены данные кислотности ( рН) и скорости никелирования в кислых растворах, из которых видно, что для разного состава существуют оптимальные значения рН, когда скорость образования покрытий максимальна. [18]
Излагаются результаты наблюдений за процессами образования катодной пленки и хромового покрытия на движущейся стальной полосе. Измерена скорость образования покрытия при различных скоростях движения полосы. [19]
 |
Схема установки для осаждения молибдена на графите. [20] |
На рис. 2 показана зависимость толщины слоя молибдена на графите ( 1) от температуры процесса при продолжительности 5 мин. Уменьшение скорости образования покрытия при высоких температурах происходит потому, что при повышении температуры газа в рабочем пространстве реакция разложения галогенидов металла протекает во всем объеме. [21]
 |
Зависимость скорости образования покрытия и содержания кадмия в покрытии от отношения ЭДТА. [22] |
Раствор, содержащий 2 г / л гидроксиламинсульфа-та, стабилен в работе, но скорость образования покрытия снижается до 0 6 мкм за 30 мин. Перемешивание раствора незначительно увеличивает скорость осаждения рутения. [23]
В работе [468] исследованы некоторые кинетические характеристики процесса получения вольфрамовых покрытий карбонильным методом. Показано, что с увеличением количества подаваемых паров карбонила вольфрама, а также с повышением температуры нагрева подложек скорость образования покрытий возрастает. При этом существуют определенные критические параметры, определяемые конструкцией установки. [25]
Продолжительность анодного окисления в зависимости от плотности тока на аноде составляет 18 - 36 мин. В результате анодного ркисления в серной кислоте на деталях образуется бесцветное прозрачное ано дно-оксидное покрытие толщиной 7 - 12 мкм. При увеличении температуры электролита выше 25 С скорость образования анод-но-оксидного покрытия растет, оно делается рыхлым и прочность пленки покрытия значительно снижается. Это абсолютно неприемлемо для последующего нанесения эрозионностойких покрытий, поскольку сжимающие напряжения, возникающие при многократных ударах абразивных частиц или капель дождя, передаются через пленку полимерного покрытия и вызывают разрушение рыхлого анодно-ок-сидного покрытия. [26]
Под действием света в галогениде серебра возникают образования типа коллоидных частиц. Поэтому интенсивность облучения должна играть важную роль в процессе возникновения таких частиц. Проведенные эксперименты по нанесению серебряного покрытия в темноте и при освещении различной интенсивности показали, что какой-либо разницы в скорости образования покрытия при изменении степени освещенности не наблюдается. Это говорит о том, что в процессе нанесения покрытия порошкообразным серебром фотохимические превращения не играют существенной роли. [28]
Между поверхностями разнородных металлов, сближаемыми на небольшие расстояния, возникают силы электростатического взаимодействия, которые являются следствием контактной разности потенциалов. Однако величина этих сил значительно меньше ( на 3 - 4 порядка) прочности образующихся при определенных условиях, например при холодной сварке металлов, соединений. Проведенные исследования показали, что серебряное покрытие описываемым способом можно нанести и на серебро, к тому же возможно нанесение покрытий толщиной 50 мкм и более, что нельзя истолковать наличием контактной разности потенциалов. В случае, если покрытие образуется за счет электризации, естественно было бы ожидать повышения скорости образования покрытия при натирании сухим порошком. [29]
Так, например, получены5 полимерные пленки из циклотетраси-локсанов в стеклянной ячейке, представляющей собой электронную пушку типа диода, катодом служила танталовая фольга, а анодом - стеклянная пластинка с напыленным слоем алюминия толщиной примерно 1000 А. Давление варьировали в пределах 2 - 10 - 5 - 4 - 6 - 10 - 4 мм рт. ст., ускоряющее напряжение составляло 250 - 750 в, ток электронов 20 - 300 мка. Установлено, что толщина образующегося покрытия пропорциональна продолжительности облучения и увеличивается линейно вплоть до толщин примерно 1 мкм. Скорость образования покрытия уменьшается с ростом энергии электронов в диапазоне 250 - 750 ей пропорциональна корню квадратному из плотности тока. [30]
Страницы: 1 2 3