Скорость - образование - центр - кристаллизация
Cтраница 2
При быстром и интенсивном охлаждении ПГС скорость образования центров кристаллизации намного выше, чем скорость роста кристаллов, поэтому в этом случае образуется большое количество мелких кристаллов. При принятых линейных скоростях они могут уноситься газами, не успев осесть. [17]
Естественно, это отражается как на скорости образования центров кристаллизации, так и на линейной скорости роста кристаллов, которые с увеличением вязкости среды обычно замедляются. Аналогичные явления наблюдаются и при кристаллизации ангидрита. [18]
Суммарное число зародышей находят с учетом скоростей образования центров кристаллизации на центрах различной активности. Отметим, однако, что последняя зависимость, хоть и не вызывает сомнений по существу, пока практически не может быть реализована из-за отсутствия способов определения числа центров и их активности. [19]
На рис. 11.29 показаны температурные зависимости скоростей образования центров кристаллизации Vi и роста кристаллов t2 в переохлажденной жидкости. Соотношение между этими скоростями и взаимное расположение их максимумов определяют характер кристаллизации и структуру продуктов кристаллизации. Температурные области, лежащие по обе стороны от кривой скорости образования центров кристаллизации V ], соответствуют метастабильным зонам, в которых самопроизвольная кристаллизация невозможна. В высокотемпературной метастабилыюй зоне не образуются зародыши ( мала степень переохлаждения), но могут расти центры конденсации, внесенные извне, так как температура в этой зоне ниже температуры плавления кристаллизуемого вещества. Наличие низкотемпературной метастабилыюй зоны обусловлено высокой вязкостью системы, которая препятствует доставке вещества к центру кристаллизации, и последний не образуется. [20]
 |
График Аврами16 для скорое - г г. [21] |
Постоянное образование центров кристаллизации означает, что скорость образования центров кристаллизации не изменяется в течение процесса кристаллизации, в то время как спорадическое образование центров кристаллизации соответствует тому, что концентрация центров кристаллизации постоянно увеличивается во время процесса. [22]
Мгновенное образование центров кристаллизации означает, что скорость образования центров кристаллизации не изменяется в течение процесса кристаллизации, в то время как при спорадическом образовании центров кристаллизации скорость образования их постоянно увеличивается во время процесса. [23]
Проведен теоретический анализ и экспериментальное исследование зависимости скорости образования центров кристаллизации от времени в расплавах теллура и растворах йодата лития и покапано, что эта зависимость может быть немонотонной. Показано также, что существует дискретный ряд величин пересыщений ( переохлаждений), при которых наиболее вероятно начало кристаллизации переохлажденных расплавов и пересыщенных растворов, характерное как для полупроводниковых, так и для других неорганических веществ. [24]
Первая производная логарифма функции распределения дает зависимость скорости образования центров кристаллизации от времени, а также от других факторов в случае изменения их со временем по некоторому закону. [25]
Характеристиками вещества, которое кристаллизуется самопроизвольно, являются скорость образования центров кристаллизации и скорость роста кристаллов. [26]
 |
Относительное изменение удельного [ IMAGE ] Зависимость lg 9 от. [27] |
Термин непрерывное образование центров кристаллизации означает, что скорость образования центров кристаллизации остается постоянной в течение всего времени кристаллизации. Термин спо-родическое образование центров кристаллизации указывает, что скорость образования новых центров кристаллизации во время процесса кристаллизации непрерывно увеличивается. [28]
Структура пленки и ее толщина зависят от соотношения скоростей образования центров кристаллизации и роста отдельных кристаллов: если скорость образования центров кристаллизации значительно превышает скорость их роста ( что имеет место при повышенной концентрации окислителей в растворе), то на поверхности быстро образуется тонкий плотный слой окисла и взаимодействие металла со щелочью прекращается. При обратном соотношении скоростей ( что имеет место при повышенной концентрации щелочи в растворе) образуются более толстые, но рыхлые пленки. При этом возможно появление красно-бурого налета гидрата окиси железа, снижающего качество покрытия. [29]
Кривые рис. 2 показывают, что у натурального каучука скорость образования центров кристаллизации максимальна при температуре примерно - 25 С, значительно уменьшаясь при понижеии температуры. Как показывает диаграмма рис. 9, для вулканизованного каучука эта скорость уменьшается с увеличением содержания серы. [30]
Страницы: 1 2 3 4