Скорость - осаждение - кристалл
Cтраница 1
Скорость осаждения кристаллов зависит от соотношения ионов кальция и магния в рассоле. До известного предела на скорость осаждения примесей оказывает благоприятное влияние температура. [1]
Данные об изменении скорости осаждения кристалла в процессе его роста или растворения содержат информацию о кинетике исследуемого процесса. Но саму кинетику изменения массы частиц конкретного вещества определяют условия проведения процесса. Поэтому для проведения кинетических исследований необходим аппарат, в каждой точке объема которого в любой момент времени известна концентрация раствора и его температура. Кроме того, аппарат должен допускать возможность измерения скорости движения исследуемого кристалла. [2]
При проектировании некоторых типов кристаллизаторов скорость осаждения кристаллов в растворе, насыщенном при рабочей температуре, является важным фактором и влияет как на скорость циркуляции, так и на конструкцию кристаллизатора. [3]
Вследствие того что различия в скорости осаждения кристаллов разного размера малы и плотность маточного раствора кристаллов отличается незначительно, заметного осаждения кристаллов не происходит. Поэтому предложено использовать аппараты с циркуляцией суспензии. Для удаления из смеси избытка зародышей и мелких кристаллов часть раствора приходится выводить в так называемый нагревательный контур, где зародыши и кристаллы растворяются; затем раствор снова поступает на охлаждение. [4]
Измеряя размеры кристалла на фотографиях и считая скорость осаждения кристалла в одном проходе постоянной, авторы этой работы получили информацию, необходимую для построения кинетической модели. Следует подчеркнуть, что в работе [90] исследовалась кинетика роста кристаллов сахарозы в очень вязком и плотном растворе. [5]
Используя уравнения ( 51) - ( 53), уже нетрудно вычислить [31] скорость осаждения кристаллов в суспензиях. [6]
 |
Зависимость скорости свободного. [7] |
Скорость раствора в классификаторе, необходимая для получения кристаллов заданного размера, определяется по скорости осаждения кристаллов. [8]
Понятно, что для любого аппарата, независимо от того, является он кристаллизатором с циркулирующей суспензией или с циркулирующим раствором, при увеличении скорости осаждения кристаллов ( вследствие их высокой плотности или большого размера) должна быть увеличена и скорость движения раствора для поддержания кристаллов во взвешенном состоянии. Высокие скорости движения раствора, особенно при большой концентрации кристаллов в суспензии, приводят к увеличению степени турбулентности потока, что может вызвать округление вершин кристаллов вследствие их трения о стенки аппарата или друг о друга. В некоторых случаях происходит дробление кристаллов. При истирании или дроблении кристаллов возникает большое количество новых центров кристаллизации, и если не отводить непрерывно образующиеся мелкие частицы, средний размер кристаллов в готовом продукте будет уменьшаться. Здесь особое значение приобретают способ перемешивания и форма аппарата. [9]
Кристаллы Na2SiFe отделяются от маточника и геля кремневой кислоты отстаиванием в течение 30 мин. Скорость осаждения кристаллов Na2SiFe равна 3 м / час, а кремнегеля - 0 25 - 0 3 м / час. Такая большая разница в скорости осаждения позволяет отделить Na2SiF6 из загрязненного гелем раствора, вследствие чего и не требуется предварительная очистка кремнефтористоводородной кислоты от кремнегеля. [10]
 |
Изотермы 25 и 50 рас - натрии способствует образованию более. [11] |
Кристаллы Na2SiF6 отделяют от маточного раствора и геля кремневой кислоты отстаиванием в течение 30 мин. Скорость осаждения кристаллов Na2SiF6 равна 3 м / час, а геля кремневой кислоты - 0 25 - 0 3 м / час. Такая большая разница в скорости осаждения позволяет отделить NaaSiFe из загрязненного гелем раствора, вследствие чего и не требуется предварительная очистка кремнефтористоводородной кислоты от кремнегеля. [12]
Кристаллы Na2SiF6 отделяются от маточного раствора и геля кремневой кислоты отстаиванием в течение 30 мин. Скорость осаждения кристаллов Na2SiFe равна 3 м / час, а геля кремневой кислоты - 0 25 - 0 3 м / час. [13]
 |
Места возможного задерживания кристаллов вследствие частичного открывания вентилей. [14] |
Простым и надежным методом непрерывной выгрузки является сифон, который рассчитывается таким образом, чтобы скорость потока в его восходящей ветви была достаточно высокой для поддержания во взвешенном состоянии самых крупных кристаллов. Если скорость осаждения кристаллов высока, а скорость восходящего потока суспензии слишком мала, то наиболее крупные кристаллы не удаляются из аппарата, а продолжают в нем расти. Поэтому сифон более удобно использовать тогда, когда плотности кристаллов и маточного раствора почти не отличаются друг от друга. [15]
Страницы: 1 2