Скорость - осаждение - кристалл
Cтраница 2
Определим скорости роста кристалла в ячейке-трубе. К косвенным методам исследования роста кристалла относится определение скорости осаждения кристалла в неподвижном растворе в ячейке-трубе. [16]
Верхняя часть кристаллорастителя служит зоной частичного осветления суспензии. Диаметр этой зоны выбирают, исходя из условия, что скорость восходящего потока в ней не превышает скорости осаждения кристаллов диаметром 50 - 100 мкм. Из отстойной зоны жидкость выводится через кольцевой перелив, расположенный у стенок аппарата. Как показал опыт работы аппаратов при нормальном режиме, содержание твердой фазы составляет 3 - 5 г / л жидкости. Частично осветленная жидкость и сгущенная суспензия из кристаллорастителя поступают во всасывающий трубопровод циркуляционного насоса следующей ступени или насоса для откачивания суспензии на сгуститель. [17]
Технологические схемы преципитирования определяются в основном концентрацией фосфорнокислых растворов. Преципитат, осажденный СаСО3, хорошо отстаивается, фильтруется и промывается. Скорость осаждения кристаллов составляет 0 33 - 0 36 м / час. Известняк дешевле извести, нет опасности введения избытка свободной СаО, при наличии которой возможны потери цитратнорастворимой P2Os, поэтому его применение имеет преимущество перед известковым молоком. [18]
Охлаждение необходимо для того, чтобы раствор не кипел в солеотделителе, так как его температура в Г корпусе равна 125 - 127 С, а при атмосферном давлении 40 % - ный раствор кипит при - 115 С. Кроме того, в охлажденном растворе осаждение соли улучшается за счет укрупнения кристаллов и уменьшения конвекционных потоков в солеотделителе. С другой стороны, при охлаждении увеличивается вязкость раствора и уменьшается скорость осаждения кристаллов соли. [19]
 |
Кристаллизатор Говарда. / - секции. 2 - охлаждающий змеевик. [20] |
По мере роста кристаллы осаждаются в разгрузочной камере, проходя через поток раствора, поднимающийся им навстречу. Верхняя часть кристаллизатора расширена для предупреждения уноса мелких кристаллов с маточным раствором. Описанный кристаллизатор обладает хорошими условиями для роста кристаллов: они находятся во взвешенном состоянии, и все их грани непрерывно омываются пересыщенным раствором. Однако скорость движения раствора возле охлаждающей поверхности, исходя из принципа действия самого аппарата, мала ( она не может превышать более чем в полтора раза скорость осаждения кристаллов, иначе они будут уноситься в слив), и, следовательно, имеется вероятность осаждения кристаллов на этих теп-лопередающих поверхностях. [21]
Страницы: 1 2