Скорость - осаждение - пленка
Cтраница 1
Скорость осаждения пленок SiO2 зависит от концентрации газов в смеси и температуры и не зависит от химического состава подложки. [1]
Кроме скорости осаждения пленки, все остальные параметры могут быть с достаточной точностью проверены известными и полно разработанными в точном приборостроении методами и техническими средствами. Существенным параметром пленки, в ряде случаев определяющим электрофизические характеристики электронных пленочных схем, является толщина нанесенного слоя. [2]
Если скорость осаждения пленки медленная по сравнению с процессом переноса вещества, тогда скорость осаждения будет ограничена скоростью реакции разложения МОС и процессами адсорбции и десорбции продуктов - так называемая кинетическая область протекания процесса. В этом случае структура пленки может быть обусловлена спецификой химической реакции, ее эидо - или экзотермичпостыо, конечными возбужденными состояниями металла и продуктов реакции, адсорбцией и устойчивостью продуктов, распада. [3]
При открытом испарении используются скорости осаждения пленок 1 - 10 нм / с, что соответствует давлению пара над испаряемой шихтой 10 - 10 - Па. [4]
Резистивный метод позволяет контролировать скорость осаждения пленки и прекращать напыление по достижении заданной толщины путем включения заслонки. [5]
В) и обеспечивает скорости осаждения пленок, которые по меньшей мере на порядок величины выше, чем в немагнетронных системах. При удельной мощности около 30 Вт / см2 для пленок меди достигнута скорость осаждения 2 5 мкм / мин. [6]
При таких условиях обеспечивается скорость осаждения Vd пленок титана в диапазоне 20 - 60 нм / мин. Осажденные пленки Ti имеют удельное сопротивление в диапазоне 55 - 75 мкОм - см и содержат хлор ( до 4 %), концентрация которого уменьшается с ростом температуры осаждения. Из-за относительно высокой температуры осаждения процесс осаждения LP LT CVD Ti ( TiCl4 - Ar / H2) применяется только на транзисторной части маршрута. [7]
При таких условиях обеспечивается скорость осаждения Vd пленок нитрида вольфрама в диапазоне 60 - 160 нм / мин. [8]
 |
Схема установки ( а и температурный профиль печи ( б для иодидной эпитаксии германия ( ампульный метод.| Форма и размеры ампулы для эпитаксиального наращивания германия иодидным методом. [9] |
С увеличением навески иода возрастает скорость осаждения эпитакси-альной пленки. [10]
Парциальное давление взаимодействующих паров влияет на скорость осаждения пленки и, следовательно, на размер зерен. [11]
При этом значение ионного тока оказывается пропорциональным скорости осаждения пленки, если преобразователь находится рядом с подложкой. Однако в пространстве, где происходит ионизация, наряду с молекулами испаряемого материала, движущимися в определенном направлении, всегда имеются хаотически перемещающиеся молекулы остаточных газов, которые тоже ионизируются и тем самым создают помеху, искажающую результат измерения. Поэтому при измерении скорости осаждения ионизационным методом возникает необходимость выделения из общего ионного тока полезной составляющей, т.е. ионного тока испаряемого материала. [12]
Арденне с сотрудниками [46] установил, что скорости осаждения пленок Та или S102 при облуче нии этих материалов пучком ионов аргона, при ускоряющем напряже нии 10 кэВ, токе пучка 1 мА и расстоянии мишень-подложка 2 см состав ляют 300 А / мин. Чопра и Рэндлетт ( 47 ] использовали ионный пучок диа метром 0 8 см с током 50 мА и ускоряющим напряжением 2 кэВ и получили скорость осаждения Ag-пленки 400 А / мин при расстоянии мишень - под ложка 8 см. Набло и Кинг [48] распыляли различные металлы, полупро водники я диэлектрики пучком ионов аргона с током 10 мА и ускоряющим напряжением 30 кэВ и на подложках площадью 5X5 см2 получили скорости осаждения пленок 30 - 150 А / мин. Основные недостатки метода ионных пучков заключаются в том, что облучаемая площадь мишени ма ла и метод не позволяет получать высокие скорости осаждения однородных по толщине пленок на подложках большой площади. Однако в последние годы большое внимание привлекли к себе работы по использованию ионных пучков ( Hg) большого диаметра, состоящих из большого чи ела пучков меньшего диаметра, в реактивных двигателях космических аппаратов. Вероятно, применение таких пучков для получения пленок позво лило бы отчасти преодолеть указанные недостатки. [13]
В процессе ионного распыления легко осуществлять точное регулирование скорости осаждения пленки, так как количество выбиваемых частиц пропорционально числу падающих ионов. Однако, поскольку коэффициенты распыления малы и ионные токи ограничены, скорость осаждения при ионном распылении всегда на один или два порядка величины ниже, чем при термическом испарении, проводимом в обычных условиях. [15]
Страницы: 1 2 3 4