Скорость - осаждение - пленка
Cтраница 2
Следствием уменьшения концентрации свободных ионов металла М2 при повышении рН являются снижение скорости осаждения пленки и увеличение ее конечной толщины. [17]
Скорость реакции (7.30) контролируется температурой и парциальными давлениями TiCl4 и NHr Чем выше давление и температура, тем больше скорость осаждения пленки нитрида титана. Степень конформности покрытия топологического рельефа зависит от давления и отношения расходов TiCl4 / NH3 и почти не зависит от температуры. Отношение расходов TiCl / NHj также управляет свойствами осаждаемых пленок TIN. Большее содержание NH3 в газовой смеси снижает содержание атомов хлора в пленках нитрида титана, их удельное сопротивление и уменьшает степень конформности покрытия топологического рельефа. [18]
Небольшая добавка паров воды к реагентам ( hfac) Cu ( I) ( VMTS) и Cu ( II) ( hfac) 2 как увеличивает скорость осаждения пленок меди в процессах LP LT CVD Си ( ( hfac) Cu ( I) ( VMTS) - Ar) и LP LT CVD Си ( Cu ( II) ( hfac) 2 / H2), так и улучшает поверхностную морфологию и уменьшает удельное сопротивление осаждаемых пленок. [19]
Фигельсон и др. [56] отмечали, что удельное сопротивление пленок CdS Se осаждаемых методом пульверизации с последующим пиролизом, слабо зависит от их состава, тогда как температура подложки, скорость распыления раствора и скорость осаждения пленок оказывают значительное влияние на их электрические свойства. [20]
Ионизационный метод основан на частичной ионизации потока пара испаряемого вещества электронами, эмиттируемыми накаленным катодом, и последующем имерении ионного тока, пропорционального плотности пара вещества, проходящего через рабочий объем датчика, а следовательно, и скорости осаждения пленки. Прибор КСТ-1 применяется при осаждении висмута, моноокиси кремния, моноокиси германия, алюминия, меди, хрома, нихрома, стекла НИС-24, сульфида кадмия, а также тугоплавких материалов: молибдена, тантала, вольфрама, рения и сапфира. [21]
Температура подложки, кроме рассмотренных выше факторов, зависит также и от режимов работы испарителя: размеров его излучающей поверхности, рассеиваемой на испарителе мощности, расстояния между подложкой и испарителем, продолжительности процесса напыления, наличия диафрагм ( при вращении подложек), скорости осаждения пленки и энергии, выделяемой при конденсации. [22]
 |
Схема простейшего аппарата для проведения пиролиза в потоке инертного газа. [23] |
Скорости осаждения пленок весьма высокие. [24]
Для проведения процесса испарения вещества в вакууме необходимо иметь испаритель, который содержал бы в себе испаряемое вещество и поддерживал его при температуре, достаточной для получения требуемого давления паров. Скорости осаждения пленок могут меняться от величин, меньших 1 А / с, до величин, больших 1000 А / с, при этом температуры испарения различных материалов различны. Для получения приблизительных оценок рабочих температур испарителей обычно основываются на необходимости иметь установившееся давление паров испаряемого материала порядка 10 - 2 мм рт. ст. для получения используемых скоростей осаждения пленки. Для большинства материалов, представляющих практический интерес, эти температуры превосходят 1000 - 2000 С. Во избежание загрязнения осаждаемых пленок вещество испарителя должно иметь при рабочей температуре незначительную упругость пара и давление диссоциации. Материалами, отвечающими этим требованиям, являются тугоплавкие металлы и окислы. Дальнейший выбор внутри этих категорий осуществляется с учетом вероятности образования сплавов и возможности возникновения реакций между веществом испарителя и испаряемым веществом. Образование сплава часто сопровождается значительным уменьшением температуры плавления, что может привести к быстрому разрушению испарителя. [25]
Скорость осаждения пленки в зависимости от режима составляет 0 5 - 25 мкм / мин. [26]
По мнению ряда исследователей [44], способ осаждения пленок из ионных пучков может быть достаточно производительным при правильном подборе исходных соединений. Скорость осаждения пленок из ионных пучков г существенно зависит от природы ионов, состава конденсируемой пленки, энергии ионов и плотности ионного тока. [27]
Гетерогенная реакция на поверхности подложки между адсорбированными частицами силана и кислорода в системе SiH4 / O2, формирующая пленку SiO2, включает в себя сложную серию элементарных актов. Скорость осаждения пленки двуокиси кремния зависит не только от температуры осаждения, но также и от скоростей газовых потоков реагентов. [28]
Контроль толщины пленки относительно прост. Сначала определяют скорость осаждения пленки, нанося пленку такой толщины, какую легко измерить. [29]
В этих условиях наблюдалась скорость осаждения пленки от 0 0004 до 0 001 мм / мин. [30]
Страницы: 1 2 3 4