Cтраница 5
![]() |
Обогащение ( а и обеднение ( б расплава примесью вблизи фронта кристаллизации. [61] |
Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами: 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве, присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. [62]
![]() |
Обогащение ( а и обеднение ( б расплава примесью вблизи фронта кристаллизации. [63] |
Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами: 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. [64]
Соотношение структур хаоса и порядка в реальной системе может зависеть от нескольких факторов, главным из которых будет скорость отвода тепла от гомогенного расплава. Содержание структур хаоса будет изменяться от 75 % при максимально возможной скорости отвода тепла до 25 % при минимально возможной. [65]