Cтраница 1
Скорость охлаждения образца регулируется переменным вакуумом в рубашке сосуда для кристаллизации. Для получения кривых необходимого размера, удобного для дальнейшей графической обработки, подбираются соответственно скорости движения диаграммной ленты пишущего потенциометра. [1]
Скорость охлаждения образца в контейнере с момента удаления его из печи была проверена. [2]
![]() |
Дифрактограммы спеченных образцов состава TiC 50 мол. % ZrC. [3] |
Скорость охлаждения образцов при спекании была значительно ниже. Поэтому в ряде случаев наблюдались структуры распада твердых растворов, причем распад происходил лишь в образцах, выдержанных при температуре спекания не более 40 мин. По-видимому, кроме скорости охлаждения на процесс распада влияет также степень гомогенности образцов. Чем более гомогенны образцы, тем при меньшей скорости охлаждения фиксируется однофазное состояние. Таким образом, сплавы TiC - ZrC легко поддаются термической обработке, с помощью которой можно регулировать их микроструктуру. [4]
Для повышения скоростей охлаждения образца через трубчатый образец пропускают воздух, воздух с распыленной водой, а также обдувают наружные поверхности образцов указанными охладителями. [6]
Длительность процесса регулируется скоростью охлаждения образца в печи после начала затвердевания. Она может составлять много часов при правильном введении центров затвердевания для избежания избыточного переохлаждения. [8]
![]() |
Изменение модуля упругости. [9] |
Большое влияние на результаты испытания оказывает скорость охлаждения образца до требуемой температуры. Полученные данные указывают на то, что при скорости охлаждения меньше 1 град / мин успевают произойти основные релаксационные процессы и внутренних температурных напряжений в образце практически не возникает. [10]
![]() |
Влияние скорости охлаждения при отпуске на остаточные напряжения в сварном шве разнородного сварного соединения. [11] |
Было сделано предположение, что уменьшение скорости охлаждения образца при отпуске снижает остаточные напряжения, так как появляется возможность релаксации возникающих остаточных напряжений. [12]
Выделению графита в порах способствует снижение скорости охлаждения аустенитизированных образцов. [13]
Если скорость диффузии кислорода из поверхностных слоев во внутренние превышает скорость охлаждения образцов, то при комнатной температуре кислород равномерно распределяется во всем образце. [15]