Cтраница 2
Большинство из перечисленных параметров измеряется в конкретном режиме, длительность процессов, принятых в качестве параметра диода, определяется не только электрофизическими параметрами диода ( скоростью процесса рекомбинации носителей заряда), но в существенной мере параметрами схемы и формой испытательных импульсов. [16]
Из опыта далее следует, что Д обычно является величиной порядка 1 - 0 1, откуда ( а также из низких значений величины А рек) можно заключить о близких значениях скорости процессов рекомбинации и диспропорционирования. [17]
Из опыта далее следует, что величина Д обычно является величиной порядка 1 - 0 1, откуда ( а также из низких значений величин 5рек) можно заключить о близких значениях скорости процессов рекомбинации и диспропорционирования. Так как, однако, константа fcpeK представляет собой константу скорости реакции второго порядка лишь при высоких давлениях, то при низких давлениях, когда рекомбинация протекает по закону третьего порядка, из двух реакций реакция диспропорционирования должна быть преобладающей. [18]
В настоящее время остро стоит вопрос о роли различных химических процессов в верхней атмосфере. Скорость процессов диссооциативной рекомбинации определяет эффективный коэффициент рекомбинации в ионосфере, знание которого необходимо для точного учета баланса ионизации в атмосфере. [19]
Согласно измерениям Ивина и Стеси [796], в предположении, что энергия активации рекомбинации C2Hs равна нулю, для энергии активации реакции диспропорционирования получается В. Заметим, что константа скорости процесса рекомбинации является таковой лишь при достаточно высоких давлениях, когда лимитирующий процесс заключается в образовании квазимолекулы С2Н5 С2Н5 ( см. выше, стр. При низких давлениях из двух реакций реакция диспропорционирования должна быть преобладающей. [20]
Природа газа-носителя влияет на чувствительность детектирования: во-первых, в разных газах при неизменных условиях хроматографи-рования различна энергия и подвижность электронов, а, следовательно, и вероятность захвата неодинакова. Во-вторых, в разных газах различна подвижность ионов, а, следовательно, и скорость процессов рекомбинации. В-третьих, радиоактивное излучение проникает в разных газах на различное расстояние, т.е. поглощение излучения и ионизация будут различны. [21]
Как мы уже указывали, в полупроводнике, находящемся в термодинамическом равновесии, идут процессы рекомбинации и генерации, кинетическое равновесие между которыми поддерживает неизменную термодинамически равновесную концентрацию носителей заряда п0 и рн. Обозначим гг и gT скорости процессов генерации и рекомбинации, протекающих без внешних воздействий, а ГЕ и gE - скорости процессов рекомбинации и генерации, протекающих вследствие каких-либо внешних воздействий. [22]
Это означает, что металлы с большим перенапряжением катализируют процесс рекомбинации слабее, чем металлы с меньшим перенапряжением. Эти выводы были подтверждены рядом исследований. Несомненно, скорость процесса рекомбинации атомарного водорода в молекулярный может повлиять на величину перенапряжения. [23]
Полную обратимость реакции разложения ангидрида и воды при медленном затвердевании можно объяснить тем, что при затвердевании кислоты ангидрид и вода остаются почти полностью в растворе в жидкой фазе. Когда доля твердой фазы возрастает, то соответственно возрастает концентрация ангидрида и воды в жидкой фазе. Если эвтектическая температура системы на 10 С ниже точки затвердевания кислоты, то до полного исчезновения жидкой фазы концентрация двух примесей может увеличиться в несколько тысяч раз по сравнению с начальной концентрацией. Это огромное изменение концентрации сильно увеличивает скорость процесса рекомбинации. Вряд ли можно сомневаться, что ангидрид и вода не остаются полностью в жидкости во время процесса затвердевания кислоты, но они реагируют более полно при медленном затсердевании, которое осуществляется, если ампула помещена в сосуд Дьюара. [24]
Если в газе присутствуют одновременно положительно и отрицательно заряженные частицы, то при этом происходит процесс их частичной рекомбинации, когда противоположно заряженные частицы соединяются, образуя нейтральные частицы. В процессе рекомбинации соединяющиеся частицы выделяют энергию. Таким образом, степень ионизации в данном газе, подверженном тому или иному ионизирующему воздействию, например высокой температуре либо рентгеновскому излучению, характеризуется определенным состоянием равновесия, при котором скорость образования пар ионов в точности соответствует скорости процессов рекомбинации. Поскольку выделение энергии не может совершаться мгновенно и происходит обычно на протяжении нескольких наносекунд, то для того чтобы акт рекомбинации взаимодействующих частиц действительно имел место, они должны на протяжении достаточно длительного времени находиться вблизи друг от друга. [25]
Анализ экспериментальных данных приводит к заключению о большой эффективности реко мбинациопно го процесса. Стеси и Ивин [796] нашли, что рекомбинация двух метальных СН3, так же как и двух этильных C2Hs радикалов, происходит приблизительно при каждом десятом столкновении. При низких давлениях константа скорости рекомбинационного процесса оказывается зависящей от давления [1169], из чего следует его тримолекуляр-ный характер ( см. гл. В отличие от процесса рекомбинации диспропорционирование при всех давлениях следует бимолекулярному закону. Согласно Стеси и Ивину [796], бимолекулярная константа скорости диспропорционирования C2Hs C2Hs C2He С2Н4 близка к бимолекулярной константе скорости процесса рекомбинации C2Hs С2Н 5 С4Н ] 0, однако отличается от нее энергией активации, причем ЕДИС1: р - Ерскомб 0 8 0 2 ккал. [26]