Скорость - фотоокисление
Cтраница 2
Эта зависимость вытекает из закона Ламберта - Бера при условии, что скорость фотоокисления пленкообразователя пропорциональна интенсивности поглощенного излучения. Как видно из приведенной зависимости, с увеличением объемной концентрации пигмента стойкость пигментированного покрытия к процессам фотоокислительной деструкции повышается. [16]
Одновременное протекание фотохимических и темповых реакций окисления обусловливает определенные особенности температурной зависимости скорости фотоокисления этих соединений. [17]
Одновременное протекание фотохимических и темновых реакций окисления обусловливает определенные особенности температурной зависимости скорости фотоокисления этих соединений. [18]
С одной стороны, хелаты алюминия являются УФ-абсорберами и благодаря их способности поглощать УФ-излучение уменьшают скорость фотоокисления алкидных покрытий. Трудно разделить вклады этих процессов в повышение стойкости алкидных покрытий. О существенной роли процессов сшивания свидетельствуют высокие концентрации добавок хелатов алюминия. [19]
Образованием радикалов при фотораспаде карбонильных соединений можно пренебречь, поскольку изменение их концентрации практически не влияет на скорость фотоокисления. [20]
 |
Влияние степени полимеризации на временное сопротивление на разрыв а.| Влияние антиоксиданта на процесс окисления полиэтилена.| Влияние добавок на скорость фотоокисления. [21] |
На рис. 229 показано влияние антиоксидантов на процесс окисления полиэтилена при 400К, а на рис. 230 - изменение скорости фотоокисления полиэтилена добавлением к нему оксида цинка или тонкодисперсной сажи. [22]
На рис. 229 показано влияние антиоксидантов на процесс окисления полиэтилена при температуре 150 С, а на рис. 230 - изменение скорости фотоокисления полиэтилена добавлением к нему оксида цинка или тонкодисперсной сажи. [23]
 |
Зависимость содержания плутония ( IV от времени облучения ( общая концентрация плутония. [24] |
Тал-лий ( 1) фотохимически окисляется только в присутствии галогенид-ионов и ионов водорода. При уменьшении их концентрации скорость фотоокисления снижается. [25]
Значительный интерес представляет механизм первичной фотохимической реакции. Поскольку при низкой температуре скорость фотоокисления и квантовый выход по кислороду не зависят от температуры, можно считать, что в реакционной смеси, по-видимому, не происходит образования кинетически свободных радикалов. [26]
Скорость фотодинамического окисления зависит также от рН среды. Как видно из данных табл. 12.11, скорость фотоокисления увеличивается при переходе к рН, превышающим рКа гетероциклического основания. [27]
Характерной реакцией СНР является присоединение алкильных радикалов, образующихся в результате вторичных реакций при фотоокислении полиуретанового пленкообразователя [ 23, с. Поэтому по изменению концентрации СНР, контролируемой методом электронного парамагнитного резонанса, относительно их исходной концентрации в покрытии можно судить о скорости фотоокисления, пленкообразователя и влиянии на нее различных пигментов. [28]
Рассчитанная по этим уравнениям концентрация Свн для полиэтилена равна 0 8 - 1019 см-3, a Cnos оказывается значительно больше: ( 20 - 25) - 1019 см-3. На примере промышленной полипропиленовой пленки было показано [63], что при фотоокислении основные изменения происходят в тонком поверхностном слое, а во внутренних слоях образуется весьма незначительное количество продуктов окисления. Установлено, что скорость фотоокисления практически одинакова для обеих сторон пленки. [29]
Окисление изопропилового спирта при облучении УФ-светом в присутствии антрахинона сопровождается образованием антрагидро-хинонового радикала ( обнаружен методом ЭПР) [69], что подтверждает радикальный механизм фотосенсибилизированного окисления. Ряд особенностей фотоокисления спиртов связан с превращениями фотосенсибилизаторов, в качестве которых чаще всего используются антрахинон, его производные и бен-зофенон. Бекстрем обнаружил [67], что скорость фотоокисления изопропилового спирта ( сенсибилизатор - бензофенон) обратно пропорциональна парциальному давлению кислорода. [30]
Страницы: 1 2 3