И-слой

Cтраница 1

Последовательность операций изготовления схемы ИЛИ фирмы IBM. [1]

И-слой 15 - й слой IB-слой 17-слой изоляция Низка, ofxjiirj - Диэлектрик йерхн. [2]

Структура руководства предприятием характеризуется многочисленностью подсистем по уровням и-слоям управления. Это свойство системы управления предприятием существенно усложняет выполнение руководителем функций координации. [3]

Выбранные на основании приведенных выше результатов исследования температуры осаждения р -, / - и и-слоев a - Si: Н составляли соответственно 300, 250 и 250 С. После осаждения р-слоя толщиной 500 А при 300 С были сформированы / - слой ( 5000 А) и п-слой ( 100 А) при 250 С. [4]

Вольтамперная характеристика лавинного р - i - п-ди-ода [ 37 ]. [5]

Когда заряд р превысит концентрацию доноров, распределение потенциала в i-слое изменится и максимум поля переместится к границе и-слоя, где также образуется область сильного умножения. [6]

Затем ( рис. 5.5.5, б) температуры осаждения / - и р-слоев фиксировались соответственно при 200 и 300 С, а температура осаждения и-слоя изменялась, значение Voc было постоянным - 0 83 В при Гподл 200 С, а КЗ постепенно снижался при температурах 250 С. [7]

Затем ( рис. 5.5.5, б) температуры осаждения / - и р-слоев фиксировались соответственно при 200 и 300 С, а температура осаждения и-слоя изменялась, значение Voc было постоянным - 0 83 В при Тпоцд 200 С, а КЗ постепенно снижался при температурах 250 С. [8]

Принципиальная схема пожарного изве.| Принципиальная схема обнаружения ионизирующего излучения.| Структура тиристора. А-анод. Н - г катод. УЭ - управляющий электрод.| Общий вид конструкции тиристора. ВА - вывод анода. ВК - вывод катода. ВУЭ - вывод. [9]

Наружный р-слой ( на рис. нижний) через термокомпен-сирующую прокладку припаивается к кристаллодержателю корпуса. От внешнего и-слоя и узкой внутренней базовой р-области делаются выводы. [10]

Следующий, I-слой включает две оболочки ( п 2) с четырьмя орбитами ( 22 - 4); из них одна s - орбиталь и три р-орбитали. Затем / И-слой ( п 3) в своих трех оболочках объединяет уже девять орбит ( З2 9); из них, как обычно, одна s - орбиталь, три р-орбитали и пять d - орбиталей. УУ-слой ( п 4) в своих четырех оболочках включает 16 орбит ( 42 16), среди которых одна s - орбиталь, три р-орбитали, пять d - орбиталей и семь / - орбиталей. [11]

Диаграммы энергетических зон для диода ДМП ( с малыми потерями с. универсальным контактом ( а, для диода со структурой й-р - п б и диода со структурой а-л - л ( в. Аморфный контакт поглощает неосновные носители в случае б и эмиттирует их в случае в. I - р п в мозаичном расположении. УК - универсальный контакт. [12]

На рис. 6.3.7, а показана энергетическая диаграмма для ДМП, в котором р-и-переход образован между сильнолегированным и-слоем и слаболегированным р-слоем, который оканчивается УК. У условиях прямого смещения электроны поглощаются и - областью УК, а дырки поставляются из р - областей. В связи с тем, что неосновные носители, в данном случае электроны, с одной стороны, не допускаются в этот контакт и, с другой стороны, не накапливаются в излишнем количестве в слаболегированном слое, прямое напряжение и время обратного переключения одновременно уменьшаются. [13]

Диаграммы энергетических зон для диода ДМП ( с малыми потерями с. универсальным контактом ( а, для диода со структурой а-р - л ( б и диода со структурой а-л - л ( в. Аморфный контакт поглощает неосновные носители в случае б и эмиттирует их в случае в. 1 - р л в мозаичном расположении. УК - универсальный контакт. [14]

Страницы: 1 2 3