И-слой

Cтраница 3

В соответствии с современными представлениями, атом железа состоит из ядра, вокруг которого расположены четыре слоя электронов - К. Каждый слой в СБОЮ очередь подразделяется на подгруппы s, p и d, как это показано на рис. 2, а. Как известно, при реакциях металлов переходных групп, к которым относится железо, в их атомах происходит заполнение недостроенных электронных слоев. При образовании Fe ( CO) 6 под воздействием окиси углерода недостроенная Зс. Такой переход электронов в Sd-подгруппу сопряжен с меньшей затратой энергии по сравнению с обратным переходом электронов из / И-слоя в N-слои. Точно так же энергетически менее выгоден переход электронных пар от окиси углерода 3d - и 4з - подгруппы без предварительного перескока двух электронов N-слоя в Sd-под-группу / И-слоя. [31]

Транзистор с базовой изолирующей диффузией 14. [32]

В структуре с базовой изолирующей диффузией ( рис. 1.3) также используется подложка р-типа, на которой выращивается тонкий эпитак-сиальный слой. В отличие от КИД-структуры скрытый п - слой не обязателен. Его вводят в нелинейных импульсных ИМС, работающих в режиме насыщения с большими токами: в сильно легированном коллекторе, образуемом скрытым п - слоем, уменьшается перепад напряжения и снижается уровень накапливаемых носителей. В аналоговых ИМС, как правило, не требуется формирования и - слоя. На следующем этапе проводится базовая диффузия акцепторов, которую используют для формирования базовых областей транзисторов и одновременно изолирующих полосок р-типа вокруг элементов ИМС. Эти полоски проникают не на всю глубину эпитаксиального и-слоя. [33]

Лицевая контактная сетка имеет сложный состав. Наилучшим материалом для контакта могло бы стать серебро, однако оно имеет плохую адгезию к чистой поверхности Si. Для ее улучшения используют промежуточный слой Ti толщиной 40 нм. Однако во влажной среде между Ti и Ag происходит электрохимическая реакция, поэтому между ними для предотвращения коррозии часто вводят слой Pd толщиной 20 нм. Лицевой контакт отжигают при 500 - 600 С в течение 5 - 30 мин. Для уменьшения последовательного сопротивления Rs солнечного элемента дополнительно наносят припой Pb-Sn, окуная его в расплав, тем самым увеличивая поперечное сечение токосьемной дорожки. Лицевой контакт имеет форму сетки, контактные полоски которой в зависимости от удельного сопротивления и толщины и-слоя разделены зазором от 0 03 ( в случае фиолетовых элементов) до 0 3 см и соединены общим токосъемом. Контактная сетка и общий токосъем занимают от 5 до 10 % общей площади элемента. Многослойный Ti - Pd - Ag-контакт иногда наносят и на тыльную поверхность, в частности при создании туннельного контакта к р - слою, легированному алюминием. [35]

Этот прибор представляет собой цилиндрический стержень полупроводника, торцевые грани которого являются истоком и стоко м, а затвором кольцевой р-п переход, охватывающий стержень. К преимуществам текне-трона относятся малая межэлектродная емкость и высокий частотный предел. Недостатками являются ограниченная мощность и небольшая крутизна. Это прибор представляет собой многослойную структуру, состоящую из большого количества стержней, напоминающих по форме текнетрон. Отличие заключается в том, что на торцевых участках созданы сильнолегированные слои. На рис. 6.12 они показаны штриховыми линиями. Со стороны истока создан дырочный слой, образующий р-п переход, а со стороны стока прелой, снижающий сопротивления прибора в открытом состоянии. Этот прибор работает, как диод с ин-жекцией неосновных носителей р-п переходом истока. Соответственно модулируется и-слой канала, снижается сопротивление в открытом состоянии, но и ухудшаются частотные свойства. Упрощенный вариант фильдтрона - гридистор ( от английского слова grid - сетка) отличается тем, что на обоих торцах создаются сильнолегированные слои электронного типа. Это позволяет прибору работать при любой полярности на основных электродах. [36]

ШД) являются разновидностью полупроводниковых СВЧ-диодов с отрицательным дифференциальным гптро-чивлением. Отрицательное сопротивление получают в динамическом режиме при электрическом пробое и дрейфе носителей заряда в полупроводнике. Конструкция прибора должна обеспечивать достаточную величину отрицательного сопротивления в диапазоне частот и эффективный отвод тепла. На рис. 10.43, а показана одна из возможных структур ЛПД. Обозначения р и п соответствуют увеличенным концентрациям акцепторной и донорной примесей п полупроводнике. Распределения кон - aj центраций доноров А д и акцепторов Na ( числа атомов донорной и акцепторной / примеси в единице объема полупроводника) представлены на рис. 10.43, б, в. В - области содержание донорной примеси ниже, чем в - области; г-область - область собственного полупроводника. Участки структуры р и п обладают высокой электро - н теплопроводностью. Наибольшая напряженность поля получается на границе р - и и-слоев. Именно здесь возникает электрический пробой, начинается лавина. При этом резко возрастает число носителей заряда - электронов и дырок. Носители заряда перемещаются в электрическом поле, взаимодействуют с атомами кристаллической решетки полупроводника и образуют все новые пары свободных электронов и дырок. По мере движения носителей заряда в области сильного поля происходит рост числа пар, что вызывает постепенное возрастание лавинного тока. Взаимодействие носителей заряда, движущихся с большими скоростями, с кристаллической решеткой обычно сопровождается нагреванием полупроводника. Рядом с лавинной областью находится область дрейфа или пролета электронов 2, включающая и i-слой. [37]

Страницы: 1 2 3