Большая скорость - рекомбинация
Cтраница 1
Большая скорость рекомбинации приводит к очень малым стационарным концентрациям ионов в газах и в связи с этим - к ничтожным значениям удельной электрической проводимости. [1]
Первый из них соответствует большой скорости рекомбинации ( р г / с ехр ( - EIRTj)) и осуществляется при высоком давлении ( р - - Р) и низкой температуре горения. [2]
В первом предельном случае, характеризуемом бесконечно большой скоростью рекомбинации, в каждой точке пограничного слоя устанавливается термодинамическое равновесие и диффузионная теплопередача в слое обусловлена наличием профиля равновесных концентраций. [3]
В случае каталитической стенки ( & ст-оо; бесконечно большая скорость рекомбинации) атомы достигают поверхности даже при условии нулевой концентрации на ней. При этом выделяется максимальное количество теплоты, обусловленное рекомбинацией этих атомов в молекулы. [4]
Приводит ли в данном случае обращенный процесс Оже к большей скорости рекомбинации с излучением, чем прямой процесс, зависит от относительных значений вероятностей перехода в нижние устойчивые состояния и от плотности предиссоциирующих или преионизирующих состояний. Этот факт имеет важное значение для понимания процессов в звездных атмосферах и в солнечной короне. Для рекомбинации радикала с атомом или радикала с радикалом, насколько известно, подобные расчеты не производились, однако весьма вероятно, что обращенная предис-социация вносит существенный вклад в скорость рекомбинации при низком давлении, в частности, в многоатомных системах. Обращенные процессы Оже также увеличивают скорость рекомбинации при соударении трех частиц, так как время жизни образующегося комплекса достаточно велико. [5]
Отсутствие эффекта в случае 12 на CaF2 должно быть приписано большой скорости рекомбинации образовавшихся атомов, слабо связываемых поверхностью. Это, по-видимому, имеет место для ионов Т1, обладающих двумя дополнительными валентностями. [6]
 |
Электронозахватный детектор Carlo Erba ( Милан, Италия. [7] |
Возникающая при негомогенной ионизации высокая плотность носителей заряда обусловливает большую скорость рекомбинации, что способствует усилению полезного сигнала. [8]
 |
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на избыточную концентрацию неосновных носителей заряда. [9] |
Но если d сравнимо с L, то 8nGiy, поскольку большая скорость рекомбинации на плоскости z d приводит к сильному обеднению объема полупроводника. В общем случае обеднение должно наблюдаться на расстоянии порядка диффузионной длины от поверхности. На рис. 94 приведено распределение 8л ( г) для случая d 2L при разных значениях Si и при s2 оо. [10]
Пусть на одной из граней полупроводника искусственно создана область Р с большей скоростью рекомбинации. Под действием силы Лоренца F происходит перераспределение концентрации носителей тока по сечению параллелепипеда в направлении действия силы Лоренца. На грани с большей скоростью рекомбинации концентрация носителей тока практически не изменяется, в то время как в области, противоположной грани, в зависимости от направления силы Лоренца концентрация носителей увеличивается или уменьшается. При этом происходит общее увеличение или уменьшение концентрации носителей по сравнению с равновесной, что вызывает соответственно уменьшение или увеличение электрического сопротивления полупроводникового образца. [11]
 |
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на избыточную концентрацию неосновных носителей заряда. a s1 0. б sx v, в sx со. во всех случаях 82 сх, толщина образца 4 /. [12] |
Но если d сравнимо с L, то 6n GT, поскольку большая скорость рекомбинации на плоскости г d приводит к сильному обеднению объема полупроводника. В общем случае обеднение должно наблюдаться на расстоянии порядка диффузионной длины от поверхности. [13]
Аналогично рассмотренной реакции протекает разложение НВг, но разложение HCI, идущее лишь в слабой степени ( вероятно вследствие большой скорости рекомбинации), имеет более сложный механизм. [14]
 |
Зависимость относительной интенсивности электролюминесцентного излучения ZnS от частоты напряжения возбуждения. [15] |
Страницы: 1 2