Большая скорость - рекомбинация
Cтраница 2
Кроме вышеописанного механизма возбуждения люминесценции за счет ударной ионизации, возможно также возбуждение за счет инжекции носителей заряда. Оно имеет место в полупроводниках с / 7-п-переходом, смещенным в прямом направлении, которые обладают большой скоростью рекомбинации носителей. Во многих полупроводниках электроны, рекомбинирующие в поле запирающего слоя, передают свою энергию кристаллу в виде тепла. Поскольку в этом случае необходимые носители зарядов должны поставляться внешним источником, обеспечивающим прямое напряжение смещения на р-п-перехо-де, этот вид электролюминесценции наблюдается лишь при постоянном напряжении. [16]
Несмотря на то, что была измерена концентрация ПМЦ в большом числе образцов, не удалось зарегистрировать величину более J. Это может быть, по-видимому, связано, во-первых, с тем, что при больших концентрациях ПМЦ скорость реакции рекомбинации радикалов конкурирует со скоростью образования и может превышать ее, и, во-вторых, с большой скоростью рекомбинации ПМЦ на воздухе в процессе приготовления образцов для ЭПР-исследова-ний. [17]
Пусть на одной из граней полупроводника искусственно создана область Р с большей скоростью рекомбинации. Под действием силы Лоренца F происходит перераспределение концентрации носителей тока по сечению параллелепипеда в направлении действия силы Лоренца. На грани с большей скоростью рекомбинации концентрация носителей тока практически не изменяется, в то время как в области, противоположной грани, в зависимости от направления силы Лоренца концентрация носителей увеличивается или уменьшается. При этом происходит общее увеличение или уменьшение концентрации носителей по сравнению с равновесной, что вызывает соответственно уменьшение или увеличение электрического сопротивления полупроводникового образца. [18]
При достаточно большой давлении плазмооорааующего вещества: в низкой темп-ре электрода молекулярные ионы возникяйт в дриэлектродвых слоях даже в тех СлучаяЛ, й йгда в осн. Каналы рождения и гибели молекулярных ионов многообразны: конверсия атомарных ионов в молекулярные; ассоциативная ионизация, диссоциация, диссоциативная рекомбинация п др. Плазма, образованная молекулярными нонами, вследствие большой скорости рекомбинации обычно находится в состоянии вгониаац. [19]
 |
Конструкции точечных ( а, сварных ( б, диффузионных меза-диодов ( в и пленарных ( г диодов. [20] |
Поскольку малое значение tB является общим требованием к импульсным и высокочастотным диодам, то их конструкции подобны. Величина tB определяется диффузионной емкостью диода. Так как Сд - тР ( § 1 - 12), то для уменьшения г необходимо уменьшать Тр в базе диода. Это достигается созданием в полупроводнике различных дефектов, а также введением примесей с большим сечением захвата, например золота. В диодах с узкой базой при большой скорости рекомбинации инжектированных носителей на контакте и базе диффузионная емкость определяется шириной базы. Поэтому в диодах с узкой базой могут быть получены меньшие значения / в, чем в диодах с широкой базой. [21]
Страницы: 1 2