Большая скорость - рост
Cтраница 2
Относительно малая энергия активации определяет большую скорость роста цепи, - во многих случаях цепь образуется практически мгновенно. [16]
В предельном случае, отвечающем большим скоростям роста, стабилизирующее влияние поверхностного натяжения превосходит возмущающее действие примеси. [17]
Нетрудно заметить, что при больших скоростях роста уравнения ( 1) и ( 2) превращаются в модель Моно. [18]
Это означает, что даже при больших скоростях роста в случае химической кристаллизации могут образовываться достаточно совершенные слои с хорошими электрофизическими характеристиками. [19]
В некоторых случаях, особенно при больших скоростях роста пленки, даже при температуре подложки 180 С вместо пленок кремния образуются пленки полимера или, возможно, пленки кремния, сильно загрязненные полимером. [20]
 |
Зависимость числа центров кристаллизации ( ч. ц. и скорости роста кристаллов ( с. к. от степени переохлаждения. Внизу показано влияние степени переохлаждения на величину зерна. [21] |
При большом числе центров кристаллизации, даже при больших скоростях роста кристаллов ( большие переохлаждения), крупные кристаллы вырасти не успевают. Они очень быстро начинают мешать росту друг друга. [22]
 |
Реологические кривые для тиксотроп-ной вязко-пластичной жидкости. [23] |
Глинистые растворы, приготовленные из высококоллоидальных глин и отличающиеся большой скоростью роста статического напряжения сдвига в покое, при перемешивании достигают равновесного состояния в течение длительного времени. [24]
В аварийных режимах ( ротор электродвигателя заторможен) имеет место большая скорость роста температуры в обмотке. Следовательно, в аварийном режиме отсутствует совместное движение контактов. [25]
Необходимость ограничения температуры пайки титана и его сплавов связана с большой скоростью роста его зерна и охрупчи-ванием в присутствии в сплаве кислорода при температурах выше 1000 - 1050 С. [26]
Вторичные золовые отложения отличаются от первичных структурой, составом и характеризуются большой скоростью роста. [27]
Методика визуального наблюдения применяется обычно для хорошо растворимых веществ, обладающих большой скоростью роста возникающих зародышей. При средних пересыщениях растворов удается четко фиксировать визуальным наблюдением момент появления первого и последующих кристалликов. При больших пересыщениях момент появления первого кристаллика практически совпадает с началом лавинообразования. Поэтому в данном случае понятия индукционного периода и момента появления первого центра кристаллизации не всегда совпадают. [28]
 |
Триодная система ионно. [29] |
Преимуществом такого распыления с независимым разрядом является высокая энергия распыленных атомов и большая скорость роста пленки. [30]
Страницы: 1 2 3 4