Большая скорость - рост
Cтраница 4
Термодинамические свойства жидкости в первую очередь влияют на массообмен между жидкостью и каверной. При больших скоростях роста и схлопывания каверны это влияние обычно относится к второстепенным. Термодинамические свойства жидкости оказывают слабое влияние на кавитацию, если главную роль играет инерция. [46]
Высокие концентрации способствуют большей скорости роста цепи и большей длине цепи, в то время как при низких концентрациях меньшая скорость создает большие возможности для протекания реакций, ограничивающих цепь. Обычно высокая интенсивность света не желательна, так как одновременное инициирование многих цепей порождает тенденцию к образованию более коротких цепей. [47]
В действительности, конечно, скорость роста пузырька при условии (6.33) не может стать равной бесконечности; она лимитируется другими, не учтенными в анализе факторами. Прежде всего при больших скоростях роста существенны инерционные силы, возникающие в жидкости и приводящие к нарушению исходного условия анализа о постоянстве давления в жидкости и в пузырьке. Следует также заметить, что сам процесс испарения в соответствии с присущими ему молекулярно-кинетическими закономерностями не может иметь бесконечно большую интенсивность. [48]
Согласно теории Холла, атомы примеси сначала адсорбируются на поверхности раздела и лишь затем входят в решетку кристалла. Таким образом, при больших скоростях роста распределение примеси между фазами соответствует адсорбционному равновесию, а не равновесию между объемом кристалла и расплавом. [49]
 |
Типичная правильная микроструктура пластинчатой эвтектики А1 - - СиА12. [50] |
Напротив, нарушенная микроструктура эвтектики возникает в том случае, когда твердые фазы имеют разные скорости роста. Поскольку ведущая фаза ( с большой скоростью роста) может свободно продвигаться в расплав, она обычно приобретает сложную дендритную форму. При кристаллизации некоторых эвтектик образуется либо правильная, либо нарушенная микроструктура; однако существуют и такие эвтектические сплавы, у которых правильная или нарушенная микроструктура образуется в зависимости от условий кристаллизации. Эвтектики с правильной микроструктурой практически без исключения можно рассматривать как перспективные армированные композиты. Поэтому в дальнейшем речь будет идти только о тех эвтектических сплавах, которые имеют правильную микроструктуру. [51]
Недавно Шэнд87 показал, что скорости роста трещин в неорганическом стекле на воздухе и в вакууме сильно различаются при малых напряжениях, но при больших напряжениях совпадают, начиная от скоростей порядка 10 мм / сек и выше. Это значит, что при больших скоростях роста трещин поверхностно-активное действие атмосферной влаги исчезает. Так, по данным Шенда оказывается, что при испытании в воздухе убыль упругой энергии образца при увеличении скорости роста трещин возрастает от значения 0 25 - 103 эрг / см2, соответствующего свободной поверхностной энергии на границе стекло-вода, до значения 1 5 - 10 эрг / см2, значительно превышающего величину свободной поверхностной энергии стекла в вакууме. Это, по-видимому, связано не только с уменьшением действия атмосферной влаги, но и с рассеянием части упругой энергии в виде тепла при больших скоростях роста трещины. При испытании в вакууме даже при малых скоростях роста трещины убыль упругой энергии ( 4 - 10я эрг / см2) на порядок больше, чем при испытании в воздухе. [52]
При скоростях, приближающихся к 10 - 2 см / с, монокристаллы не образуются, так как градиент в кристалле ( dT / dx) s недостаточно велик. Охлаждая кристалл, можно, вероятно, достичь больших скоростей роста. Иногда, действительно, дендриты специально выращивают в аналогичных условиях ( разд. Газ, в котором выращивают кристалл, обычно впускают сверху и выпускают через дно печи. Кристаллы германия можно выращивать в атмосфере Н2, Не, Аг или N2, но газ должен быть очищен от окислителей, углеводородов и воды. [53]
 |
Переход бразильских двойников из пирамиды /. в г-компоненту дофинейского двойника. Ув. 5. [54] |
Недавно спонтанные бразильские двойники были обнаружены в пирамидах с кристаллов синтетического кварца. Новоселов, эти двойники образуются относительно редко при больших скоростях роста поверхности пинакоида. Для этих двойников также характерна / - ориентация двойниковой границы. [55]
Наиболее распространены расплавные методы выращивания большинства монокристаллов. Основное достоинство этих мето - дов - возможность получения больших скоростей роста, недостижимых ни гидротермальным методом, ни методом выращивания из газовой фазы. [56]
В лабораториях этой же фирмы в дальнейшем были проведены детальные исследования воздействия факторов внешней среды, условий роста на кинетику кристаллизации. Проведенные им работы позволили рекомендовать для проверки на опытном производстве большие скорости роста ( до 5 мм / сут) при давлениях порядка 200 МПа при выращивании кварца на затравках базисного среза. Однако практического использования такая рекомендация не получила, так как опыт выращивания кристаллов пьезокварца нужного качества показал, что оптимальные скорости роста должны иметь на порядок меньшую величину. Помимо непосредственного вклада Р. А. Лодиза в разработку промышленного производства синтетического кварца необходимо отметить его большую популяризаторскую деятельность: написано значительное число научно-популярных статей и монографических работ по синтезу монокристаллов, в том числе по искусственному получению кристаллов кварца. [57]
Пленка толщиной от 20 до 150 мк была измерена на неподвижных кристаллах в неподвижном водном растворе, но Марк [36] установил, что толщина этой пл. Так как на основании этого можно прийти к выводу о бесконечно большой скорости роста в перемешиваемых системах, то очевидно, что представление о диффузии через пленку не объясняет механизма роста кристаллов. [58]
Двухвалентный никель захватывается в меньшей степени, чем трехвалентное железо. Отсутствие более или менее значительной адсорбции в ходе кристаллизации обусловлено большими скоростями роста кристаллов азотнокислого цезия, равными в рассматриваемом случае - 25 мк / мин. [59]
Пусть между гранями А и В расположена грань С, обладающая большей скоростью роста, чем грани А и В. Внутренний контур AlClBi ( рис. 275) отмечает положение граней в момент первого наблюдения, а контур Л8С 5а - в момент второго наблюдения. Расстояния между параллельными линиями пропорциональны линейным скоростям роста. В момент третьего наблюдения застают лишь две грани А3 и В3, которые теперь пересекаются между собою. [60]
Страницы: 1 2 3 4