Линейная скорость - кристаллизация
Cтраница 2
Фольмер и Мардер [360] свели линейную скорость кристаллизации к скорости образования двумерных зародышей, так как установили, что при построении растущей грани кристалла больше всего времени требуется на образование двумерного зародыша. Однако уравнение Фольмера и Мардера для линейной скорости роста кристаллов было выведено ими чисто формально. [16]
Концентрационное переохлаждение уменьшается также с уменьшением линейной скорости кристаллизации, способствующей накоплению примеси перед фронтом кристаллизации. [17]
 |
Схема установки для определения линейской скорости кристаллизации. [18] |
По литературным данным [1, 2, 3], при линейной скорости кристаллизации менее 3 мм / мин температуру на границе кристалл - расплав можно принять равной температуре среды. [19]
Кинетика этого процесса характеризуется так называемой линейной скоростью кристаллизации L, зависящей от многих факторов. В частности, она является функцией переохлаждения, относительной скорости движения раствора и кристалла, температуры, а также зависит от вида грани кристалла. [20]
Опытным путем установлено, что там-мановская кривая линейной скорости кристаллизации слюды для небольших значений переохлаждения располагается над кривой скорости зародышеобразования. [21]
Ход процесса кристаллизации обусловливается двумя величинами: линейной скоростью кристаллизации и скоростью образования центров кристаллизации при данной температуре. [22]
Такие эффекты могут, однако, влиять на линейную скорость кристаллизации, рассмотренную в опытах Таммана и определяющую форму, принимаемую свободно растущими кристаллами. [23]
По экспериментально найденным значениям для исследуемых веществ построены кривые зависимости линейной скорости кристаллизации от температуры, которые во всех случаях имеют две ветви: восходящую и нисходящую. Восходящая ветвь кривой скорости кристаллизации лежит в области температур ниже точки кристаллизации, и увеличение перепада температур между точкой кристаллизации и температуры жидкой фазы соответствует увеличению скорости роста кристаллов. При определенном переохлаждении жидкой фазы ривые скорости кристаллизации имеют свой максимум, а при дальнейшем понижении температуры жидкой фазы скорость роста кристаллов уменьшается, стремясь к нулю. [24]
Таким образом, зная распределение температуры вдоль оси колонки, линейную скорость кристаллизации и число центров кристаллизации как функции температуры, а также уравнение движения кристалла вдоль оси колонки, которое зависит от ее конструктивного оформления, можно, пользуясь соотношением ( 39) - ( 41), рассчитать распределение примеси в колонке после установления равновесия. [25]
Наложение переменных электрических полей оказывает более значительное влияние % на линейную скорость кристаллизации. Установлено [137], что в полях с частотами 50 - 1400 Гц наблюдается смещение температурной кривой линейной скорости кристаллизации в область более низких температур и некоторая ее деформация. Влияние переменного электрического поля на линейную скорость кристаллизации является результатом уменьшения энергии активации и увеличения удельной межфазной энергии. [26]
Многочисленные экспериментальные исследования [77, 135, 136] показали, что под действием ультразвукового поля линейная скорость кристаллизации увеличивается соответственно его интенсивности. При высокой интенсивности поля линейная скорость кристаллизации может в десять и более раз превысить скорость кристаллизации, наблюдаемую в обычных условиях. [27]
Как видно, введение в полиамид поверхностно-активных добавок приводит к уменьшению линейной скорости кристаллизации за счет снижения поверхностной энергии на границе сферолит - расплав. Подобное снижение поверхностной энергии на растущей грани кристалла, как хорошо известно [9], приводит к снижению скорости ее роста. [28]
 |
Зависимость скорости роста кристаллов хлор - ИФК от температуры. [29] |
Поэтому для исследования такого процесса наиболее важную роль играет выяснение зависимости линейной скорости кристаллизации от температуры. [30]
Страницы: 1 2 3 4