Линейная скорость - рост
Cтраница 2
Падение величины линейной скорости роста для кристаллов алмаза того же размера ( рис. 130) хорошо согласуется с рассматриваемым качественным изменением механизма, лимитирующего эту величину. [16]
Естественно, что линейные скорости роста медленно растущих граней остаются прежними. [17]
Описанная методика оценки линейных скоростей роста требует задания специального режима терморегулирования и микроскопического исследования отдельных монокристаллов. В силу этого способ неэффективен при обработке массовых экспериментов по кристаллизации алмаза. В последнем случае более рационально использование способа оценки линейных скоростей роста на основе анализа дисперсности всей совокупности кристаллов, полученных в определенном количестве идентичных циклов. Этот этап предусматривает рассев алмазов на стандартных контрольных ситах и последующую статистическую обработку результатов рассева. Размеры сторон ячеек сил п определяют границы разрядов статистических рядов. Относительную плотность вероятности в разрядах корректно оценить как pi т / т ( г - rj i), где: т - - масса кристаллов, имеющих к концу цикла размер в интервале т - П-i; m - общая масса алмазов. [18]
Описанная методика оценки линейных скоростей роста требует задания специального режима терморегулирования и микроскопического исследования отдельных монокристаллов. В силу этого способ неэффективен при обработке массовых экспериментов по кристаллизации алмаза. В последнем случае более рационально использование способа оценки линейных скоростей роста на основе анализа дисперсности всей совокупности кристаллов, полученных в определенном количестве идентичных циклов. Первым этапом данной методики является гранулометрический анализ, задача которого - оценка преимущественного в ансамбле кристаллов размера г. Этот этап предусматривает рассев алмазов на стандартных контрольных ситах и последующую статистическую обработку результатов рассева. Размеры сторон ячеек сил п определяют границы разрядов статистических рядов. Относительную плотность вероятности в разрядах корректно оценить как pj т - / т ( Г - П-i), где: т - - масса кристаллов, имеющих к концу цикла размер в интервале т - п - i; m - общая масса алмазов. [19]
При экспериментальном определении линейной скорости роста Kg к поверхности переохлажденной жидкости, заключенной в стеклянную трубку, прикасаются концом стеклянной нити. Предварительно на этот конец нити наносится ничтожное количество кристаллического вещества. Таким образом в жидкость вносится затравка, дающая начало кристаллизации, и с поверхности внутрь жидкости начинают расти кристаллические нити. Затем через определенные промежутки времени наблюдают за положением границы между закристаллизованной и жидкой фазами и по скорости передвижения этой границы определяют линейную скорость роста кристаллов. [20]
Di; Vj - линейная скорость роста грани; D, - коэффициент дифф; зии микрокомпонента в растворе. [21]
Было найдено, что линейная скорость роста ромбовидных монокристаллов р-формы ( измерения производились вдоль наиболее быстро растущей грани) постепенно возрастает при понижении температуры от 42 до 27, как это видно из кривой 1, рис. 50 ( данные везде представлены в мм / мин. Измерить скорость кристаллизации ( 3-формы при более низких температурах затруднительно, так как расплав попадает в область интенсивного роста сферолитов а-формы. [22]
 |
Изменение скорости кристаллизации во времени в периодическом процессе. [23] |
Скорость кристаллизации отличается от линейной скорости роста по сути дела тем, что она определяется как п, так и L. Если линейная скорость непосредственно с размерами поверхности частицы не связана, то скорость образования осадка является функцией А. [24]
 |
Кинетические кривые роста массы кристаллов цеолитов.| Рост линейных размеров кристаллов NaX при 90 С ( / и распределение кристаллов по размерам в конечном продукте ( 2. [25] |
Прямые измерения под микроскопом линейной скорости роста одного и того же кристалла в процессе изотермической кристаллизации алюмосиликагеля связаны со значительными экспериментальными трудностями. Эти трудности могут быть устранены при измерениях по предложенному нами [6] методу размеров ( диаметров) нескольких наиболее крупных кристаллов, обнаруживаемых в кристаллизующемся геле по истечении разного времени с момента начала процесса. [26]
 |
Зависимость скорости роста кристалла от частоты его вращения в растворе. [27] |
Механизм влияния перемешивания на линейную скорость роста может быть различным. В частности, он может быть сведен к ускорению диффузии вещества из объема раствора к поверхности и к уменьшению толщины приповерхностного слоя жидкости. Таким образом, влияние перемешивания связано с условиями массопереноса вещества в системе. [28]
Выше было показано, что линейная скорость роста сферолитов для полимеров самых различных типов вблизи Гпл характеризуется отрицательным температурным коэффициентом. Для всех полимеров, исследованных в широкой области температур, максимальная скорость роста сферолитов наблюдается приблизительно при тех же температурах, что и максимальная валовая скорость кристаллизации. Из приведенных выше данных следует, что рост сферолитов контролируется процессами вторичной нуклеации. [29]
Уникальная серия экспериментов по измерению линейной скорости роста в зависимости от молекулярного веса и числа складок была проведена Коваксом и Гонтье [221] на полиоксиэтилене, закристал-лизо ванном из расплава на самозародышах. На рис. 6.23 приведены результаты для фракции молекулярного веса 6000, для которой наблюдается образование ламелей без складок, с одной и двумя складками. При анализе исполь зовано значение ДС, равное 7 0 ккал / моль, которое вытекает из температурного коэффициента вязкого течения в этой температурной области. На этом же рисунке приведены кривые для фракции молекулярного веса 150000, в которой происходит образование кристаллов с многократно сложенными цепями, и кривые для фракций молекулярного веса 2000, где кристаллы образованы полностью вытянутыми цепями или однократно сложенными цепями. [30]
Страницы: 1 2 3 4