Линейная скорость - рост
Cтраница 3
Скорость роста кристалла описывается совокупностью линейных скоростей роста отдельных его граней. Линейная скорость роста - перемещение грани параллельно самой себе, происходящее в единицу времени. [31]
Таким образом, результаты измерения линейной скорости роста с несомненностью свидетельствуют о том, что вводимые в полиамид добавки оказывают влияние, характерное для поверхностно-активных веществ. Наряду с этим эффектом следует ожидать, что снижение поверхностной энергии на границе кристалл - расплав должно сопровождаться резким увеличением скорости зародышеобразования в результате уменьшения критических размеров зародышей. Это является результатом увеличения скорости зародышеобразования при условии увеличения суммарной скорости, что т имеет место на самом деле. [32]
На рис. 8 приведена зависимость линейной скорости роста карбида кремния от давления метилтрихлорсилана при 1410 С в отсутствие водорода. [33]
Макроскопическое продвижение фронта кристалла называют линейной скоростью роста. Этот процесс можно наблюдать прямым путем с помощью оптической или электронной микроскопии или косвенными способами, описанными в разд. Макромолеку-лярные кристаллы обычно настолько малы, что непосредственное наблюдение за линейной скоростью роста возможно лишь при определенных условиях. [34]
Из уравнения (5.26) видно, что линейная скорость роста непостоянна и экспоненциально возрастает со временем. [35]
Размер перлитных колоний зависит от соотношения линейных скоростей роста и скорости зарождения центров перлита. Дисперсность перлитных колоний определяют два процесса - рост зерна аустенита и повышение степени его гомогенизации. При этом, с одной стороны, уменьшается число центров зарождения перлитных колоний, а с другой - укрупняются перлитные колонии. Одновременно уменьшается межпластиночное расстояние, так как гомогенное и крупное зерно аустенита способно к большему переохлаждению. Этот процесс ограничивают легирующие элементы, оказывая замедляющее влияние на диффузию углерода. [36]
На рис. 10 показана зависимость логарифма линейной скорости роста карбида кремния от обратной температуры. Эти данные получены при 50 мм рт. ст. метилтрихлорсилана в отсутствие водорода. [37]
Предыдущий анализ был сделан в предположении постоянства линейной скорости роста толщины слоя в каждом сечении канала На самом деле это условие выполняется только в начальном сечении канала и когда процесс находится в кинетической области. [38]
Скорость роста кристаллов может быть выражена через линейную скорость роста отдельных граней или представлена как изменение массы кристалла во времени. В первом случае она может быть представлена как некоторая средняя L или как сумма линейных скоростей роста отдельных граней, если речь идет об увеличении объема кристалла. Во втором - понятие о скорости роста практически совпадает с понятием скорости кристаллизации продукта. [39]
Скорость роста кристаллов может быть выражена либо линейной скоростью роста отдельных граней, либо изменением массы кристалла во времени. Линейная скорость роста может быть представлена средней величиной L или суммой линейных скоростей отдельных граней. [40]
 |
Микрофотография нитеобразного кристалла серебра ( то А. Г. Самарцеву.| Изменение сечения нитеобразного ( единичного кристалла серебра, вызванное изменением силы тока ( по А. Г. Самарцеву. [41] |
Далее развивается нить большего поперечного сечения, однако линейная скорость роста при этом не изменяется и плотность тока на активной поверхности остается более или менее постоянной. [42]
Влияние р - Г - условий на величину линейной скорости роста алмаза в установившемся режиме подобно их влиянию на числе центров кристаллизации и находится в полном соответствии с изменяющимся пересыщением углерода в металлическом расплаве Обращает на себя внимание самостоятельное влияние величины термоградиентов в реакционной зоне на скорость роста кристаллов, которая заметно возрастает с-увеличением неоднородности теплового поля при прочих равных условиях. [43]
Влияние р - Г - условий на величину линейной скорости роста алмаза в установившемся режиме подобно их влиянию на число центров кристаллизации и находится в полном соответствии с изменяющимся пересыщением углерода в металлическом расплаве. Обращает на себя внимание самостоятельное влияние величины термоградиентов в реакционной зоне на скорость роста кристаллов, которая заметно возрастает с-увеличением неоднородности теплового поля при прочих равных условиях. [44]
 |
Типичная картина зависимости длины микротрсщин от времени растяжения ПЭТФ с постоянной скоростью 1 67 - Ю-4 м / с. [45] |
Страницы: 1 2 3 4