Линейная скорость - рост - кристалл
Cтраница 1
Линейная скорость роста кристаллов не изменяется. В итоге возникает более мелкокристаллическая структура [ 24, с. [1]
Линейная скорость роста кристаллов теснейшим образом связана с равновесной формой кристалла. Форма является равновесной, если свободная энергия кристалла минимальна. Для идеального кристалла среди всех кристаллич. Она определяется след, вариационным выражением Гнббса: 2ajSj - min ( при V - const), где ajSj - свободная поверхностная энергии и площадь i - той грани, V - объем кристалла. Решение этой вариационной задачи, известное под нгкшаппем теоремы Вульфа, может быть представлено след, образом: a / / ij const, где 1ц - расстояние i-той грани от центра кристалла. Из этой теоремы следует, что линейные скорости роста различных граней кристалла пропорциональны величинам их поверхностной энергии. [2]
Линейная скорость роста кристаллов пропорциональна химической связи, поэтому кристаллы либо разрастаются по единичному направлению ( при наибольшем значении химической связи), приобретая призматический или игольчатый облик, либо имеют наибольшую скорость роста в плоскости, перпендикулярной к единичному направлению, принимая таблитчатый или листоватый облик. [3]
Линейная скорость роста кристалла R drldt не зависит от размера г, где г - эффективный линейный размер кристалла, a t - время. [4]
Линейной скоростью роста кристаллов называется скорость перемещения границы между расплавом и затвердевающей поликря-сталлической массой. [5]
 |
Увеличение трлщины кристалла со временем, предсказываемое простой задачей Стефана. [6] |
Определение линейной скорости роста кристаллов возможно только, если детально известен механизм кристаллизации. Можно выделить три предельных случая, изученных достаточно подробно. Наиболее важным из них для изотермической кристаллизации макромолекул является рост, контролируемый образованием зародышей ( разд. Случай роста кристаллов, регулируемого кинетикой процессов на поверхности, рассмотрен в разд. [7]
Исследования линейной скорости роста кристаллов цеолитов в силикаалюмогелях и гетерогенных алюмосили-катных смесях в процессе их кристаллизации имеют большое значение для понимания механизма кристаллизации цеолитов и для направленного синтеза кристаллов с регулируемыми размерами. В специальной литературе отсутствуют, однако, какие-либо данные по линейной скорости роста кристаллов цеолитов, полученные путем прямых измерений размеров единичных кристаллов в процессе их роста. Это связано с тем, что экспериментальное выполнение таких измерений трудно осуществимо. [8]
 |
Зависимость линейной скорости кристаллизации v иоли-тетраметил-и-силфениленсилоксана от молекулярного веса при различных температурах. Равновесная температура плавления 1 - 2 С С. [9] |
Зависимость линейной скорости роста кристаллов политетраме-тил-к-силфениленсилоксана от молекулярного веса приведена на рис. 6.21. В представленном температурном интервале фракции более низкого молекулярного веса кристаллизуются быстрее. При существенно более высоких температурах ( низкие степени переохлаждения) эта зависимость имеет тенденцию измениться на противоположную. Мегилл [ 253] определил, что температура изменения характера этой зависимости находится при 130 С. Линденмейер и Холланд [245] показали, что при температуре примерно 113 С для полиэтилена наблюдается очень слабая зависимость скорости роста от молекулярного веса. [10]
При найденной постоянной линейной скорости роста кристаллов больший чем 4 показатель степени при t указывает на непостоянство скорости образования зародышей кристаллов и на ее рост во времени в течение автокаталитической стадии процесса кристаллизации. Вместе с тем, как показано в [15], скорость роста кристаллов ( как и скорость самого процесса кристаллизации) увеличивается при увеличении температуры и концентрации щелочи в жидкой фазе гелей. [11]
Что такое линейная скорость роста кристаллов и как она зависит от основных условий проведения процесса. [12]
Температурная зависимость линейной скорости роста кристаллов этих цеолитов в координатах Аррениуса, по нашим данным [3, 6], для исследованного температурного интервала ( 50 - 100 С) выражается хорошими прямыми линиями. Вычисленные из них значения энергии активации роста кристаллов для цеолитов NaA и NaX составляют 43 7 и 62 5 кДж / моль соответственно. [13]
Что же касается линейной скорости роста кристаллов, она должна быть пропорциональной абсолютному пересыщению раствора, взятому в первой степени. Подобная зависимость скорости роста от пересыщения наблюдается при течении процесса кристаллизации в диффузионной области. Влияние перемешивания в процессе осаждения преципитата сводится к ускорению диффузии продуктов растворения известняка или извести в объем раствора, к выравниванию концентраций в жидкой фазе. Так как кристаллы СаНРО4 - 2Н2О относятся к моноклинной сингонии, перемешивание может приводить также к их ломке, дроблению. [14]
Как экспериментально определить линейную скорость роста кристаллов, скорость образования зародышей. [15]
Страницы: 1 2 3 4