Линейная скорость - рост - кристалл
Cтраница 3
Являясь термодинамической движущей силой кристаллизации, пересыщение определяет линейную скорость роста кристаллов и - / ( ДС) г при l z 2, изменения которой когерентны изменениям пересыщения. [31]
Являясь термодинамической движущей силой кристаллизации, пересыщение определяет линейную скорость роста кристаллов u - f ( AC) z при l z 2, изменения которой когерентны изменениям пересыщения. [32]
 |
Изменение наибольшей предельной вязкости неразрушенной структуры сахарной суспензии в функции объемного содержания маточного раствора ( по данным.| Тот же процесс, что и на. [33] |
Трудно, конечно, представить, что заставляет линейную скорость роста кристаллов изменяться в таком огромном диапазоне. Кроме того ( см. ниже), мелкие кристаллы растут медленнее, чем крупные. [34]
Как видно из рис. 1.22, для всех случаев линейная скорость роста кристаллов оказывается пропорциональной произведению [ Al ] [ Si ] и, следовательно, концентрации алюмосиликатных частиц в жидкой фазе. Определение величин п из уравнения ( 14) в логарифмической форме не приводит к получению целочисленных значений, и эти значения меньше отношения n Si / Al в кристаллах соответствующих цеолитов. Это обстоятельство может свидетельствовать о том, что в реакции образования алюмосиликатных ионов, из которых растут кристаллы, в каждом случае принимают участие не все силикатные ионы, а только ионы определенного состава и степени полимеризации, концентрация которых всегда будет меньше общей концентрации SiO2 в растворе. [35]
С увеличением исходного пересыщения связаны скорость образования осадка и линейная скорость роста кристаллов. И та, и другая с повышением 60 возрастают. Следовательно, при быстрой кристаллизации требуется большее содержание модификатора для достижения требуемого эффекта. Отметим, что и рост температуры при одном и том же пересыщении способствует ускорению образования осадка. [36]
Автор установил, что в зависимости от концентрации BaS04 линейная скорость роста кристаллов лимитируется либо диффузией ионов раствора, либо диффузией частиц в слое, адсорбированном на поверхности кристалла. В последнем случае оказалось, что скорость роста кристаллов пропорциональна 4 - й степени концентрации BaS04 в растворе. [37]
 |
Кривые роста размеров кристаллов цеолита Na-X в процессе кристаллизации геля состава 4 12Na2O - Al2O3 - 3 5SiO2 - 60OH2O при разных температурах. [38] |
Из рис. 1.11 и данных [62] следует, что линейная скорость роста кристаллов цеолитов в гелях в течение продолжительного периода времени остается постоянной, и, следовательно, она не должка зависеть от размеров кристаллов. В то же время линейная скорость роста кристаллов увеличивается с ростом температуры. [39]
 |
К определению скорости роста алмаза методом меток для кристаллов размером 1 2 ( а. 0 7 ( б н 0 35 - Ю 4 м ( в, синтезированных при длительном режиме 12 - 102 с. [40] |
Типичная для синтетических алмазов полидисперсность существенно затрудняет корректное определение линейных скоростей роста кристаллов. Способы оценки скорости роста по наиболее крупным индивидам, зародившимся предположительно в начальной стадии синтеза, характеризуют линейную скорость роста незначительной части общего количества кристаллов. Наиболее полная и исходная для оценки линейных скоростей роста информация может быть получена, во-первых, на основе исследования зонарного строения отдельных кристаллов, границы зон которых фиксированы, во-вторых, в результате статистического анализа дисперсности всей совокупности синтезированных в цикле кристаллов алмаза. [41]
Увеличение молекулярного веса 428 от 104 до I05 уменьшает линейную скорость роста кристаллов 3-формы, дальнейшее повышение молекулярного веса до 106 оказывает малое влияние на скорость ( разд. [42]
Кристаллизационная способность стекол измеряется скоростью их спонтанной кристаллизации и линейной скоростью роста кристаллов. Она является одним из важных технологических свойств стекла и часто определяет практическую возможность изготовления стекла данного состава. Обычно кристаллизационную способность характеризуют величиной линейной скорости роста кристаллов, образующихся в стекле данного состава, в определенных температурных интервалах. Естественно, что величина кристаллизационной способности зависит и ют того, каковы природа и химический состав выпадающих кристаллов. [43]
Кристаллизационная способность стекол измеряется скоростью их спонтанной кристаллизации и линейной скоростью роста кристаллов. Она является одним из важных технологических свойств стекла и часто определяет Практическую возможность изготовления стекла данного состава. Обычно кристаллизационную способность характеризуют величиной линейной скорости роста кристаллов, образующихся в стекле данного состава, в определенных температурных интервалах. Естественно, что величина кристаллизационной способности зависит и от того, каковы природа и химический состав выпадающих кристаллов. [44]
В последнем случае из-за образования адсорбированных слоев на растущих гранях линейная скорость роста кристаллов уменьшается и осадки получаются высокодисперсными. [45]
Страницы: 1 2 3 4