Четвертое слагаемое

Cтраница 3

Здесь первое - слагаемое правой части представляет элементарный момент вращательной силы инерции в переносном движении, второе слагаемое - элементарный момент осестремительной силы инерции в переносном, третье слагаемое - элементарный момент сил инерции относительного движения, четвертое слагаемое - элементарный момент сил инерции Кориолиса. [31]

Здесь первое слагаемое учитывает силу, действующую на частицы твердой фазы за счет локального поля напряжений в жидкой фазе, второе и третье слагаемые - сила сопротивления ( в общем случае нелинейная), испытываемого частицами твердой фазы при их движении относительно жидкости ( причем третье слагаемое содержит некоторый интегральный оператор F, учитывающий предысторию движения при нестационарном режиме обтекания частиц), четвертое слагаемое учитывает эффект присоединенной массы, обусловленный ускоренным движением частиц относительно жидкости. [32]

Уравнение ( 46) принято называть законом Ома. Четвертое слагаемое в правой части выражения ( 45) учитывает эффект проскальзывания ионов. [33]

Схематическое изображение изгиба зон вблизи границы раздела полупроводник - диэлектрик. Сплошная линия - край зоны проводимости, штриховая - соответствующий изгиб зон, обусловленный только неподвижными зарядами обедненного слоя. Схема а соответствует случаю, когда смещение на подложке равно нулю. При отрицательном смещении на подложке Кподл уровень Ферми и край зоны проводимости в объеме лежат выше по сравнению со своими положениями на поверхности. Структура энергетических зон в приповерхностной области полупроводника в увеличенном масштабе приведена на схеме б, где параметры соответствуют некоторым слагаемым, входящим в соотношение, описывающее изгиб зон в обедненном слое. В частности, V -, - 4тЛ е2гср / хпп - вклад электронов инверсионного слоя в потенциальную энергию при г 0. [34]

Ферми и дном нижней подзоны на поверхности, определяемое из уравнения (3.3), Л /, - концентрация электронов в инверсионном слое, гср - их среднее удаление от границы раздела полупроводник - диэлектрик. Четвертое слагаемое в правой части равенства (3.13) описывает изменение потенциала, связанное с зарядом инверсионного слоя. [35]

Третье слагаемое отражает компенсацию пластового давления за счет вытеснения газа подошвенной водой. Природа четвертого слагаемого объясняется защемлением остаточного газа в обводненной зоне элемента пласта. [36]

Первые три слагаемых уже известные нам величины нормальных напряжений из курса Сопротивления материалов, являются результатом действия продольной силы и изгибающих моментов. Что же касается четвертого слагаемого, то оно характеризует изменения, вносимые в линейные законы распределения напряжений, депланацией сечения, силовой мерой которой является бимомент. [37]

Вычислим напряжения аю в сечении, близком к верхнему торцу стержня. Подставляя это значение в четвертое слагаемое формулы (14.34), найдем напряжения в характерных точках сечения. Эпюра аш показана на рис. 14.19, г. Отметим, что напряжения аш достаточно велики и их необходимо учитывать при расчете стержня на прочность. [38]

Чтобы проверить, нельзя ли сократить ( и следовательно, упростить) эту дробь, нужно разложить на множители числитель. В данном случае это легко сделать, сгруппировав первое и четвертое слагаемое и второе и третье. [39]

Первые два слагаемых обусловлены постоянной составляющей, вызванной шумом и взаимодействием шума и сигнала. Два последних слагаемых описывают непрерывную часть выходного спектра, причем четвертое слагаемое выражает компоненты, обусловленные взаимодействием сигнала и шума, а последнее - взаимодействием компонент спектра шума. [40]

Положительны и остальные слагаемые знаменателя, отражающие действие поверхностных сил: после начала парообразования размер паровых пузырьков по мере снижения температуры ( давления) увеличивается и dt / dT 0, но ( dva / dp) T также отрицательно, вследствие чего произведение этих величин, входящих в третье слагаемое знаменателя, положительно. Так как ( dvn / dT) p 0, то и четвертое слагаемое также положительно. [41]

Значение коэффициента впр, как правило, колеблется от 0 0003 до 0 003 и зависит, главным образом, от температурного коэффициента катушек контуров, настраиваемых на промежуточную частоту. Поскольку промежуточная частота обычно бывает как минимум ка порядок ниже частоты сигнала, то четвертое слагаемое под радикалом формулы (2.2) имеет существенный удельный вес лишь при высокостабильных гетеродинах. При предварительном расчете полосы пропускания значение промежуточной частоты обычно еще не бывает выбранным. Однако при высокостабильных гетеродинах следует учитывать влияние нестабильности настройки контуров, выполняя это после окончательного выбора промежуточной частоты. Если при этом потребуется расширить полосу пропускания менее чем на 10 %, то практически влиянием нестабильности настройки контуров на полосу пропускания можно пренебречь. [42]

Действительно, третье слагаемое зависит только от уже определенных xv и Ят г - Рассмотрим четвертое слагаемое. [43]

Структура импульсного отклика оптической системы пространственной фильтрации с ГПФ в частотной плоскости. [44]

ГПФ не пользуются точечным источником на входе, а освещают фильтр опорной волной. При этом имеет место только смещение всех слагаемых импульсного отклика в сторону опорной волны, в результате чего четвертое слагаемое, содержащее h ( u, v), оказывается расположенным на оптической оси. [45]

Страницы: 1 2 3 4