Cтраница 1
Слек и Ньюмен [218] наблюдали резкий излом на кривой теплопроводности МпО при температуре перехода из парамагнитной в антиферромагнитную фазу ( точка Нееля); этот излом они приписали взаимодействию между фононами и магнитными моментами атомов магния. Они обнаружили, что теплопроводность кристалла ZnSO4 уменьшается при введении примеси Fe2, причем в значительно большей степени, чем при добавлении того же количества немагнитных ионов марганца, хотя разница в массе ионов Zn и Mg в 4 раза больше, чем у Zn и Fe. Влияние магнитного поля на теплопроводность кристаллов, содержащих парамагнитные ионы, было впервые изучено в экспериментах Мортона и Розенберга [172] на этилсуль-фате гольмия и Дрейфуса, Лаказе и Задворного [63] на кристаллах оксида алюминия, содержащих ванадий и хром. [1]
Слек сравнил экспериментальные и вычисленные значения коэффициента теплопроводности при температуре, равной высокотемпературному значению б для акустических фононов. [2]
Слек [215] использовал формулу (7.3) для того, чтобы предсказать, какие неметаллические кристаллы должны иметь очень высокую теплопроводность при комнатной температуре. Также необходимо, чтобы v и у были малыми. [3]
Ни Слек, ни Уолкер и Пол [238] не обнаружили такого простого поведения теплопроводности. Ожидаемые результаты получили Ворлок [250] и Уолтон [239] в экспериментах на кристаллах хлорида натрия с примесью коллоидного серебра. Ворлок проводил измерения при температурах до 1 2 К и обнаружил, что теплопроводность пропорциональна Т3, причем тепловое сопротивление, добавленное к сопротивлению при рассеянии на границах, пропорционально концентрации коллоидных частиц серебра. Уолтон [239] проводил измерения на тех же кристаллах, но при температуре ниже 0 35 К и обнаружил, что теплопроводность начинает уменьшаться медленнее, чем по закону Т3, и при самых низких температурах становится такой же, как у чистого кристалла. Для вычисления теоретических значений, совпадающих наилучшим образом с экспериментальными, он использовал для всех поляризаций выражение для сечения рассеяния, выведенное Уолтоном и Ли [240] на основе метода парциальных волн, развитого Инем и Труеллом [251] для продольных волн. [4]
Гласбренер и Слек использовали опубликованные данные и их экстраполяцию для jj / ( эта величина в Ge зависит от температуры) и для Ее ( последняя величина значительно уменьшается с повышением температуры как в Si, так и Ge); они получили, что для Si при 1000 К и для Ge при 600 К величина Хбипол - 20х, но все еще составляет только около 2 % от общей измеряемой теплопроводности в обоих полупроводниках. В точке плавления Хбипол - 6х для Si и - 3 3xi для Ge и в обоих случаях составляет 32 % общей теплопроводности. [5]
Эверсон и Слек ( 1968) считают, что у метельчатых злаков роль карбоангидразы в переносе СО2 могут выполнять четырехуглеродные дикарбоновые кислоты, являющиеся продуктами фиксации ССЬ. [6]
![]() |
Зависимость растворимости углерода в кремнии. [7] |
Скейс и Слек [49] изучали раство-римость углерода в кремнии в интер-вале температур 1408 - 2900 С в атмосфере аргона при давлении 35 атм. На основании исследования они пришли к заключению, что в системе Si-С существуют следующие фазы: кремний, углерод и карбид кремния. [8]
Однако Гласбренер и Слек, построив зависимость величины ( W-Wi) / T от температуры Т, обнаружили, что эта величина отнюдь не постоянна ( фиг. [9]
Растворяют 3 0429 г SrCl2 - 6H2O хч ( лучше слек - трально-чистого) в дистиллированной воде и разбавляют водой до 1000 мл. [10]
Проблемы, возникающие при использовании этого метода при низких температурах, обсуждали Берман [22] и Уайт [242], в то время как Копп и Слек [131] детально изучили предосторожности, которые необходимо соблюдать при использовании термопар для измерения разности температур вдоль образца. [11]
Впервые эксперименты по изучению влияния известного количества примесей, вводимых в кристаллы, на теплопроводность при низких температурах были выполнены, по-видимому, Слеком [212]; из анализа данных по теплопроводности была получена величина интенсивности рассеяния на примесях. Слек проводил измерения на кристаллах КС1, содержащих примесь кальция с различными концентрациями. Дефекты представляли собой ионы Са2, замещающие ионы К, и равное число положительных ионных вакансий для сохранения электронейтральности. Изменение теплопроводности вследствие введения примесей нельзя полностью объяснить на основании рэлеевского закона рассеяния, и Слек заключил, что некоторые из ионов кальция участвуют в образовании кластеров. Если примесь и вакансия достаточно разделены, то два вклада в величину 52 нужно сложить. [12]
Такой результат противоречит предсказаниям теории, предложенной Блекманом [34], в пользу справедливости которой в какой-то мере говорят результаты измерений на щелочногалоидных соединениях ( см. фиг. Аналогично Слек [214] не обнаружил такой связи и для соединений типа AnBVI, теплопроводности которых в ряде случаев он измерял сам. [13]
![]() |
Маркировка силовых цепей в схемах. [14] |
В цепях переменного тока допускается перед маркировкой цепей управления, защиты, сигнализации, автоматики и измерения проставлять обозначения фаз А, С ( рис. 1 - 2, б), а в однофазных схемах переменного тока участки цепи маркировать четными и нечетными числами. На чертежах схем маркировку проставляют около концов или в середине участка цепи, слек от изображения вертикальной цепи и над изображением горизонтальной цепи. [15]