Монокристаллическая слитка

Cтраница 1

Монокристаллические слитки не должны иметь дислокаций и свирлевых дефектов. Слнтки имеют диаметр 78 2 мм и длину не менее 80 мм. Допустимое относительное отклонение средних значений УЭС торцов от номинального значения УЭС составляет 20 % для марок КВЭ и 25 % для марок КВД. [1]

Монокристаллические слитки выращивают диаметром 18 - 35 мм и длиной св. [2]

Монокристаллические слитки германия или кремния перед тем как поступить иа резку проходят операцию ориентации. Что касается диффузионных транзисторов, то для них эта операция также может иметь значение, потому что сплавление может применяться при изготовлении и этих приборов - например, для создания невыпрямляющих контактов. [3]

Монокристаллические слитки полупроводников получают чаще всего путем кристаллизации из расплава - методом Чохральского. При этом вслед за затравкой вытягивается нарастающий и застывающий слиток. Типовой диаметр получающихся слитков составляет в настоящее время 80 мм, а максимальный достигает 120 мм и более. [4]

Плотность дислокаций в монокристаллических слитках кремния ( ГОСТ 19658 - 81) менее 10 см2, что позволяет считать их бездислокационными. Слитки кремния легируют бором ( Б), создающим дырочный тип электропроводимости, фосфором ( Ф) или сурьмой ( С), создающими электронный тип электропроводимости. [5]

Подвижность носителей заряда в монокристаллах германия. [6]

Для производства полупроводниковых приборов используются монокристаллические слитки кремния. [7]

Самодиффузия и диффузия примесей в этих соединениях исследовалась также в широком интервале температур на монокристаллических слитках, выращенных из расплава химически чистых компонент. Выли измерены коэффициенты диффузии РЬ, Те, Sb и Sn в РЬТе и коэффициенты диффузии Se и Sb в PbSe. [8]

Для получения максимальной величины подвижности носителей в эпн-таксиальных слоях GaAs, выращиваемых на подложках полуизолирующего GaAs, легированного Сг, предпочтительнее использовать в качестве подложек монокристаллические слитки GaAs с крупноячеистой структурой, у которых границы ячеек состоят из сравнительно широких дислокационных сплетений. [9]

Конструкция графитового контейнера для получения эпитаксиальных слоев РЬи - Зп / Ге.| Конструкция ампулы для выращивания кристаллов Pbi jSn. tTe из газовой фазы. [10]

Выращивают кристаллы как непосредственно на кварцевое дно ампулы, так и на затравку или подложку из ВаРг, Pbj jtSnzTe и др. Этим методом выращивают объемные монокристаллические слитки массой до 100 г, а также ограненные кристаллы с размерами граней до 1 5 см. Для улучшения качества выращиваемых кристаллов проводят либо предварительную сублимацию исходной шихты, либо ее длительный отжиг. [11]

Резка образцов производится на специальных станках. Первоначально монокристаллические слитки наклеиваются с помощью пицеина на слиткодержатель и разрезаются на пластины с помощью латунных или медных дисков, режущая кромка которых армирована алмазным порошком. Режущие диски существуют двух типов: с внешней и внутренней режущей кромкой. С последними удается получать пластины полупроводника толщиной от 100 мкм и выше. Толщина реза составляет примерно 100 - 200 мкм. При использовании режущего станка типа ЖК-2405 обеспечивается достаточная плоскопараллельность получаемых пластин. [12]

Монокристаллический германий, легированный фосфором, электронного типа электрической проводимости ( ТУ 48 - 4 - 396 - 77, ОКП 17 7443), предназначенный для производства подложек эпитаксиальных структур ( марки ГЭФ-0001) и полупроводниковых приборов ( марка ГЭФ-0005), выпускают с номинальным значением УЭС не более 0 000012 и 0 00005 Ом - м соответственно. Монокристаллические слитки германия марки ГЭФ-0001 имеют диаметр 20 мм и длину не менее 50 мм; слитки германия марки ГЭФ-0005 имеют диаметр 25 мм и длину не менее 25 мм. [13]

Исходным материалом для изготовления полупроводниковых микросхем являются поликристаллические слитки кремния, которые прошли предварительную очистку, но такой материал еще не пригоден для создания полупроводниковых микросхем. Для микросхем используют монокристаллические слитки кремния, которые должны быть однородны по составу и иметь совершенную структуру. [14]

Режим восстановления двуокиси германия и выдвижения лодочки с германием из печи. [15]

Страницы: 1 2