Cтраница 2
Необходимая чистота достигается применением фракционной перекрисгаллизации. Полученный этими методами высокочистый германий затем превращают в монокристаллические слитки германия. [16]
Второй отличительной чертой современных полупроводниковых материалов является применение их в монокристаллическом состоянии. На границах между зернами поликристаллического слитка пространственная решетка кристалла нарушена, и незавершенные межатомные связи этих участков захватывают или тормозят носители тока, что вызывает неконтролируемые изменения электрических характеристик изготовленного из полупроводника прибора. Такие явления не наблюдаются в монокристаллических слитках, которые обычно выращивают из расплава, строго соблюдая условия роста, предупреждающие образование различных внутренних пороков. [17]
Арсенид галлия ( ОСТ 4.032.015 - 80) применяется для производства электронных приборов и эпитакснальных структур. Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком, имеют дырочный тип электрической проводимости, остальные - электронный. Ориентация продольной оси монокрнсталли-ческих слитков [111], [100], ( НО. [18]
Арсенид галлия ( ОСТ 4.032.015 - 80) применяется для производства электронных приборов и эпитаксиальпых структур. Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком, имеют дырочный тип электрической проводимости, остальные - электронный. [19]
Зонная плавка и выращивание монокристаллов фосфида из стехио-метрических расплавов связаны с теми же трудностями, что и при синтезе, которые определяются высоким давлением диссоциации. Горизонтальная зонная плавка осуществляется только в установках высокого давления. Малый внутренний диаметр ампулы ( - 12 мм) позволяет ей выдерживать давление паров фосфора 25 атм без внешнего противодавления. После 3 - 4 проходов зоны со скоростью 1 - 3 см / ч на такой установке могут быть получены прозрачные монокристаллические слитки фосфида галлия высокой чистоты. [20]