Слой - алюминий
Cтраница 1
Слой алюминия, напыленный на кремний, нагретый до температуры 800 С. [1]
Слой алюминия для нижней обкладки толщиной от 0 5 до 1 0 мкм наносится на подложку обычными методами термовакуумного испарения. Моноокись кремния испаряется в вакуумной камере, откачанной до 5 - 10 - 8Па или меньше. Лодочка с отражателем, нагреваемая вольфрамовой нитью, содержит моноокись кремния в гранулированном виде. Отражатель предохраняет попадание микрочастиц от источника на подложку. Скорость напыления поддерживается в диапазоне от 0 0070 до 0 009 мкм / с, температура подложки 300 С. Толщина пленки может быть точно проконтролирована во время осаждения с помощью фотометрических методов. [2]
Слой алюминия электрически соединяют с последним анодом, благодаря чему на экране постоянно удерживается потенциал этого анода. Бомбардирующие электроны легко проходят через тонкий слой алюминия. Но пленка алюминия непрозрачна для света. Отражение света от алюминиевой пленки увеличивает светоотдачу экрана. [3]
 |
Кривые послесвечения для различных люминофоров, применяемых в электронно-лучевых трубках.| Вольт-амперная характеристика газонаполненного диода с холодным катодом. [4] |
Слой алюминия представляет также эффективную преграду для медленно движущихся отрицательных ионов, устраняя ионную бомбардировку экрана. Таким образом, отпадает необходимость в применении ионных ловушек. [5]
 |
Прожектор с ионной ловушкой. а - схема. б - рентгенограмма. [6] |
Слой алюминия надежно защищает люминофор от бомбардировки отрицательными ионами, поэтому в трубках с алюминированными экранами надобность в ионных ловушках отпадает. [7]
Слой обнажившегося алюминия работает как анод, и образующиеся продукты коррозии уплотняют поры, что делает покрытие электрохимически стабильным. [8]
 |
Схемы комбинированных технологических процессов изготовления микросхем. [9] |
Нанесен слой алюминия Пластина конденсатора, Нанесен слой нихрома. [10]
Далее напыляют слой алюминия, фотолитографией получают рисунок по алюминию и проводят вжигание его ( без расплавления) для создания прочного омического контакта с р-областью. Такую технологию называют Планерной. [11]
 |
Состав радиоактивного излучения ( слева и. [12] |
Например, слой алюминия толщиной 0 05 мм полностью поглощает все альфа-частицы. [13]
Замазка предохраняет слой алюминия от окисления при последующей термической обработке. [14]
Электролитически получают слой алюминия, поверхность которого затем окисляется. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5