Слой - диэлектрик
Cтраница 1
Слой диэлектрика достаточно тонок ( 0 2 мм), чтобы через него могли пройти электроны, излученные радиоактивным изотопом, а вторичные электроны, выбиваемые из токопрово-дящего материала 4, пройти не могут и создают на стенках цилиндра 3 отрицательный потенциал. Согласно литературным данным, батарея обеспечивает напряжение 10 кв при токе нагрузки 2 мка. [1]
Слой диэлектрика на поверхности нефтепродукта отсутствует, т.е. - jj - 1, а резервуар заполнен полностью. [2]
Слой диэлектрика мишени сделан очень гонким. [3]
Если слой диэлектрика между металлическими элек. [4]
Если слой диэлектрика граничит со слоем другого полупроводника или полуметалла, то в дисперсии плазмона появляется другая интересная особенность. [5]
Если слой диэлектрика сделать очень тонким ( менее 0 01 мкм), то электроны обоих сверхпроводящих слоев получают возможность проскакивать сквозь него в результате туннельного эффекта. [6]
Хотя слои диэлектриков имеют одинаковую толщину, нагружены они неодинаково. [7]
Рассмотрим слой изотропного диэлектрика толщиной 2А, на краях которого ( х h) приложен электрический потенциал У. [8]
 |
Коаксиальная линия с ферритами. [9] |
Толщина слоя диэлектрика 2 выбирается с учетом необходимой величины волнового сопротивления. При этом обычно используется феррит с прямоугольной кривой намагничивания. Прежде чем произвести оценку времени формирования фронта импульса в такой линии, необходимо более подробно рассмотреть процесс образования ударной волны в более простом случае. [10]
Образование слоя диэлектрика, наносимого на некоторых металлах, происходит при анодном окислении металла в соответствующем электролите. Характерной особенностью оксидных слоев на аноде является их униполярная электропроводность в определенных электролитах, в которых оксидный слой оказывает большое сопротивление электрическому току при анодном включении металла, покрытого оксидом, и пропускает ток при его включении в качестве катода. Эта особенность вызывает необходимость включения обычных электролитических конденсаторов с обязательным соблюдением полярности, что дает возможность их использования только в цепях постоянного тока. Несоблюдение полярности приводит к гибели конденсатора вследствие перегрева его большим током. [11]
Однако слоя диэлектрика между подложкой и каналом ( см. рис. 3.48, а) нет, и входное сопротивление МДП-транзистора со стороны подложки существенно ниже, чем со стороны затвора, и равно сопротивлению обратно смещенного р-ге-перехода. Обычно подложку соединяют с истоком и заземляют; при этом напряжение между подложкой и истоком равно нулю. [12]
 |
Схема замещения емкостного компланарного преобразователя.| Эквивалентные схемы замещения емкостного преобразователя. [13] |
Наличие слоя диэлектрика увеличивает как емкость конденсатора, так и его чувствительность. [14]
Толщина слоя диэлектрика мишени определяется условиями получения возбужденной проводимости при не очень больших энергиях электронов записывающего пучка. Максимальное значение возбужденная проводимость имеет тогда, когда глубина проникновения электронов не меньше толщины слоя. Например, для большинства диэлектриков, применяемых в качестве мишеней потенциа-лоскопов ( кварц, фтористый магний, фтористый кальций), глубина проникновения электронов при энергии 10 кэв оказывается менее 1 мкм. Поэтому оптимальной толщиной следует считать величину 0 5 - 0 8 мкм при энергии записывающего пучка 10 - 12 кэв. [15]
Страницы: 1 2 3 4