Слой - диэлектрик
Cтраница 2
 |
Зависимость потерь на корону от напряжения в системе провод-плоскость цри частоте 50 щ. [16] |
При наличии слоя диэлектрика на проводе несколько меняется механизм зажигания короны за счет заряда, оседающего на диэлектрик. Однако сокращение зоны дрейфа объемного заряда играет здесь, по-видимому, решающее значение. [17]
Частичное нанесение слоя диэлектрика позволяет создавать функциональные гене раторы переменной частоты и пилообразного сигнала. [18]
После создания слоя диэлектрика над областью будущего затвора вытравливают окна, необходимые для получения контактных участков областей истока и стока, а также металлического слоя затвора. [19]
Уменьшение толщины слоя диэлектрика под затвором может также привести к недопустимому уменьшению пробивного напряжения этого слоя между затвором и стоком. [20]
Уменьшение толщины слоя диэлектрика du ведет к увеличению крутизны и снижению порогового напряжения, но приводит к нежелательному возрастанию емкости затвора. [21]
Уменьшение толщины слоя диэлектрика под затвором может также привести к недопустимому уменьшению пробивного напряжения этого слоя между затвором и стоком. [22]
Электроды разделены слоем диэлектрика. Таким образом, внешнее кольцо одновременно является охранным. Протяженные чувствительные элементы состоят аз четырех связанных между собой стержней, выделяющих некоторый объен. Они являются нулевыми электродами. Внутри объема расположен стержень, разделенный прокладкой из диэлектрика на два потенциальных электрода, двух последовательно расположенных конденсаторов. [23]
 |
Искусственные линии задержки. [24] |
Спираль покрывают слоем диэлектрика и заключают в медную оплетку, защищаемую пластмассовым чехлом. Емкость создается спиралью относительно оплетки, а индуктивность-витками спирали. [25]
 |
Искусственные линии задержки. [26] |
Спираль покрывают слоем диэлектрика и заключают в медную оплетку, защищаемую пластмассовым чехлом. Емкость создается спиралью относительно оплетки, а индуктивность - витками спирали. Волновое сопротивление однородной липни р - г L / C невелико ( до 1 5 кОм) и может быть увеличено путем расширения диаметра спирали. [27]
Мишень представляет собой слой диэлектрика, нанесенного на сигнальную пластинку. На поверхности диэлектрика расположены фоточувствительные частицы ( миниатюрные фотокатоды), электрически связанные между собой. Не закрытая фотокатодами поверхность диэлектрика является потенциалоносителем. [28]
В этом случае слой диэлектрика имеет отверстие, в котором проводники ограниченной ширины СПЛ соединяют проводники СПЛ со слоями металла. Такой фазовращатель можно использовать в диапазоне от сотен мегагерц до десятков гигагерц. [29]
 |
Картина электрического поля в двухслойном плоском конденсаторе ( случай. [30] |
Страницы: 1 2 3 4