Слой - нитрид - кремний
Cтраница 1
 |
Скорости роста окисла кремния при термическом разложении тетраэтоксисилана при различных температурах. [1] |
Слои нитрида кремния, полученные по реакции 10, обладают хорошими физическими характеристиками, что позволяет применять их в технологии ИМС. [2]
Водород может также оказывать влияние на миграцию механических напряжений из слоя нитрида кремния. [3]
Тонкий оксид, который в МНОП-транзисторах называют также туннельным, имеет толщину всего около 2 - 4 нм; слой нитрида кремния имеет толщину 40 - 70 нм. Используемые в схемах управления типовые МОП-транзисторы имеют толщину подзатворного оксида 50 - 80 нм. В исходном состоянии МНОП-транзисторы закрыты и имеют высокое сопротивление между стоком и истоком. Под действием этого напряжения возникает туннельный ток электронов сквозь тонкий слой оксида. На границе раздела оксид - нитрид кремния накапливается заряд электронов, захваченных ловушками в запрещенной зоне. Изолирующий оксид предотвращает утечку заряда после снятия с затвора импульса напряжения. Время записи составляет 50 - 500 мкс. Чтобы снять накопленный заряд ( стереть информацию), на затвор подается отрицательное напряжение 20 - 30 В. Время стирания составляет около 50 мс. [4]
 |
Локальное окисление.| Структура с окисленным поликремнием. 1 - газофазный эпитаксиальный SiCb. 2 - поликремний. 3. [5] |
Локальное окисление, В технологии производства ИС применяется процесс частичного окисления подложки кремния, на участках поверхности которой нанесен слой нитрида кремния или поликристаллического кремния. [6]
Транзистор со структурой металл-нитрид-оксид-полупроводник ( МНОП) показан на рис. 4.4. Тонкий оксид, который в МНОП-транзисторах называют также туннельным, имеет толщину всего около 2 - 4 нм; слой нитрида кремния имеет толщину 40 - 70 нм. Используемые в схемах управления типовые МОП-транзисторы имеют толщину подзатворного оксида 50 - 80 нм. [7]
Высокая энергия бомбардирующих растущие пленки нитрида кремния частиц плазмы вызывает сжимающее механическое напряжение в пленках, величина которого может управляться с помощью ВЧ мощности в целях минимизации растрескивания пленок. В плаз-моактивированных процессах ХОГФ образуются слои нитрида кремния не стехиометрического состава, которые содержат водород и обогащены кремнием. [8]
В результате получают узкие V-образные канавки ( рис. 3.6, б), глубина которых должна быть больше толщины эпитаксиального слоя. Затем поверхности канавок окисляют, наносят слой нитрида кремния и оставшуюся часть углублений заполняют поликристаллическим кремнием. При той же ширине окна в исходной маске из нитрида кремния ( 1 мкм) ширина изолирующих областей снижается до 5 мкм. В этом случае ширина изолирующей области снижается до 3 мкм. Кроме того, увеличиваются напряжения пробоя изолирующего перехода ( от 25 до 50 В) и прокола противоканальной области р типа ( от 7 до 50 В), поскольку последняя в этой конструкции не примыкает к скрытому п - слою. [9]
Как уже указывалось ранее ( см. § 6.7), при отжиге легированных слоев необходимо принимать меры для исключения обратной диффузии введенной примеси, а также для предотвращения испарения компонента Bv вследствие частичного разложения соединения. Лучше всего для этой цели подходит пиролитическое осаждение слоя нитрида кремния толщиной 0 2 - 0 3 мкм. [10]
 |
Схема запоминающего элемента на КМОП-транзисторах. [11] |
Интегральная полупроводниковая структура - МНОП-транзи-стор позволяет построить ЗУ, сохраняющее информацию при отключенном источнике питания. В МНОП-транзисторах, в отличие от обычных МОП-структур, между пленкой двуокиси кремния и металлическим электродом затвора помещается слой нитрида кремния. Слой двуокиси кремния предотвращает перенос зарядов в отсутствие напряжения на затворе или когда оно ниже порогового значения. [12]
Ag испаряли со слоя нитрида кремния, не полностью удалив с угля. [14]
Последовательность основных технологических операций, используемых в изопланарной технологии, и структуру изопланарного транзистора поясняет рис. 3.5. В высокоомной подложке р - - типа локальной диффузией доноров формируют скрытый л - слой. Затем на всей поверхности пластины наращивают тонкий ( W. На полученную поверхность наносят слой нитрида кремния, из которого с помощью литографии формируют защитную мяску. Не закрытые маской области эпитакси-ального слоя подвергают травлению на глубину приблизительно 0 5 Wan. Локальным ионным легированием бором через маску создают противоканальные области р - типа, расположенные под вытравленными участками в подложке между скрытыми слоями п - типа сосед. [15]
Страницы: 1 2