Слой - плазма - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Слой - плазма

Cтраница 1


Слои плазмы, для которых собственное поглощение линий играет существенную роль, обычно называют оптически плотными, а само явление некомпенсированных потерь световой энергии в пределах определенного спектрального интервала - реабсорбцией излучения. Нередко им придается несколько различный смысл. Так, многие авторы используют термин пленение, желая подчеркнуть лишь факт, более длительного пребывания фотона внутри слоя по сравнению со временем Д Цс, где с - скорость света, а / - расстояние, проходимое фотоном в слое. Часто также подразумевают самопоглощение линии, если контур ее искажен реабсорбцией до такой степени, что в его центральной части еще не появился провал. После появления провала обычно говорят о самообращении линии.  [1]

ВЧ-поле колеблющегося слоя плазмы играет для электронного пучка роль ВЧ-поля входного или выходного зазора клистрона. Колеблющиеся слои располагаются, как правило, у поверхности катода, сеток, коллектора ( отражателя), что и позволяет интерпретировать работу соответствующих плазменных генераторов как аналогов пролетного и отражательного клистронов. Когда существует два колеблющихся слоя, например, у сетки и коллектора, то это эквивалентно входному и выходному ВЧ-зазорам; обратная связь осуществляется за счет отражений от границ слоев.  [2]

В этом случае слой плазмы представляют в виде бесконечно тонкого светящегося шнура, окруженного слоем атомов-абсорбентов, а ф ( х) - 6 ( х), где б - символ дельта-функции Дирака.  [3]

4 Рассеяние частиц в нейтральном. [4]

При прохождении электроном слоя плазмы толщиной dx изменение его скорости будет обусловлено процессами рассеяния на центрах, расположенных на всевозможных прицельных расстояниях.  [5]

Волны являются поперечными - слои плазмы движутся перпендикулярно направлению распространения волны. Рассмотренный тип волн называют волнами Альфвена.  [6]

Сила FJ, действующая на слой плазмы /, начавший двигаться первым, будет замедлять его движение.  [7]

8 Схема сильноточного ускорителя. 1 - высоковольтный выпрямитель. а - промежуточный накопительный элемент. з - электроды двойной формирующей линии. 4 - трансформирующая линия передачи. р - разрядники. С - конденсаторы.| Траектории электронов в диоде с малым ( о и большим ( б токами. е - в диоде с магнитной изоляцией.| Схемы ионных диодов с магнитной изоляцией ( а и рефлексных диодов [ б. К - катод. А - анод. П - поверхностная плазма. Н - поперечное магнитное поле. Тр - траектории электронов. Тр - траектории ионов. В - виртуальный катод ( плоскость остановки электронов. [8]

Образовавшиеся на катоде и аноде слои плазмы расширяются со скоростью v ( 2 - 3) - 10в см / с, иежэлек-тродный промежуток ( размером d от неск. Через время г d / 2v оба слоя Плазмы соединяются и диод закорачивается. Время устойчивой работы диода, пока его сопротивление не сильно отличается от внутр. Это и определяет верх.  [9]

Сила - Fi, действующая на слой плазмы /, начавший двигаться первым, будет замедлять его движение.  [10]

Выше нейтральной атмосферы излучение проходит через три морфологически различных слоя плазмы: ионосферу, межпланетную и межзвездную среды.  [11]

Вырежем мысленно двумя плоскостями площадью s ( рис. 70) слой плазмы, температура которой зависит от я, и определим количество тепла, поступающего в эту область.  [12]

Эти результаты относятся к излучению под прямым углом к поверхности слоя плазмы. Нас больше интересует следующий вопрос: какова эффективная частота со, вплоть до которой полный поток, выходящий из слоя, оказывается черным. Чтобы ответить на него, необходимо провести довольно утомительное интегрирование / со ( 6) как по всему угловому распределению 6, так и по всем частотам о. Это сделали Драммонд и Розенблют [274]; они показали, что поток излучения ( в вт / м2) можно выразить в виде [ ср.  [13]

Однородность пучка, зависящая, в первую очередь, от однородности слоя анодной плазмы, является существенным параметром. Для усиления напряженности электрического поля на поверхности диэлектрических участков их перфорируют равномерной сеткой отверстий диаметром 1 мм. В связи с тем, что на краю отверстий имеет место усиление напряженности электрического поля, поверхностный пробой инициируется именно в этих местах и первоначально анодная плазма представляет собой систему колец диаметром - 1 мм. Поскольку наработка анодной плазмы происходит при приложенном напряжении к анод-катодному промежутку, осуществляется генерация кольцевых микропучков.  [14]

Применяя закон Бугера-Ламберта, легко оценить другую важную для абсорбционных измерений величину - поглощающую способность Av слоя плазмы конечной толщины.  [15]



Страницы:      1    2    3    4