Слой - плазма
Cтраница 3
Фактором, уменьшающим предельно достижимые значения амплитуды давлений и импульса отдачи, является наличие в протонном пучке углеродной компоненты. В пучке обязательно присутствуют эти две компоненты, если пучок формируется из слоя анодной плазмы, образующейся при поверхностном пробое диэлектрических участков на аноде, которые выполняются из углеводородных материалов. Наличие углеродной компоненты неизбежно в случае использования масляных вакуумных насосов. [31]
Для некоторых деталей самолетов достигнуто повышение прочности в 100 раз при использовании излучения импульсно-периодических лазеров. При плотности потока излучения 108 - 10 Вт / см2 над обрабатываемой поверхностью возникает слой плазмы, распространяющейся навстречу лучу. Вблизи поверхности образуется ударная волна с пиковым давлением - 107 Па. Ее воздействие на металл оказывается таким же, как и холодная обработка давлением. [32]
 |
Возникновение электрического момента плазмы в скрещенных электрическом и магнитном полях. [33] |
Магнитное поле значительно изменяет диэлектрические свойства плазмы. Для того чтобы выяснить характер этого изменения, обратимся к рис. 66, на котвром показан слой плазмы в однородном магнитном поле. [34]
При определенных условиях в плазме могут возникать магнитогидродинамиче-ские волны. Для выяснения механизма их возникновения обратимся к рис. С.З. Прямоугольная система координат расположена в плазме так, что внешнее магнитное поле индукции В направлено по оси г. Положим, что по какой-то причине слой плазмы / ( рис. С. [35]
При уменьшении потока интенсивности лазерного излучения уменьшаются температура и степень ионизации плазмы за фронтом ударной волны. По аналогии с теорией обычной детонации можно определить пороговое значение для интенсивности лазерного излучения, при котором еще возможен режим световой детонации. Естественно считать, что слой поглощающей плазмы за ударной волной расширяется не только в направлении движения ударной волны, но и в боковых направлениях. При интенсивностях лазерного излучения ниже порогового режим световой детонации невозможен. Так как FcD Fn, то режим световой детонации можно поддерживать меньшими световыми потоками, чем это требуется для первоначального создания плазмы и ударной волны. [36]
Суммарный коэффициент, характеризующий как усредненное по всем частотам поглощение, так и рассеяние, называют непрозрачностью плазмы. Диффузия излучения, или лучистая теплопроводность плазмы, зависит только от ее непрозрачности. Умножением непрозрачности на толщину слоя плазмы получают безразмерную величину, которую называют оптической толщиной. Слой плазмы с большой оптической толщиной непрозрачен для излучения. Излучение выходит из этого слоя лишь в силу медленного процесса многократного переизлучения и рассеяния. Такое излучение называют запертым. Оно находится в термическом равновесии с веществом. При этом, как мы увидим, и в самой плазме соблюдается условие детального равновесия и поддерживается термически равновесная ионизация. Напротив, слой плазмы с малой оптической толщиной прозрачен для излучения. Из такого слоя излучение выходит свободно, понятия диффузии излучения и лучистой теплопроводности для него теряют смысл. [37]
При газодинамическом ускорении ионов [15] импульсный релятивистский электронный пучок с током, значительно превышающим предельный вакуумный ток, инжектируется в вакуумную камеру дрейфа. За анодной фольгой в камере дрейфа размещается диэлектрическая пленка. Электроны, осциллируя между катодом и образующимся в камере за анодной фольгой виртуальным катодом, ионизируют диэлектрическую пленку, создают вблизи поверхности фольги слой плазмы. Ионы вытягиваются из него электрическим полем, образованным электронным облаком, и, компенсируя объемный заряд облака осциллирующих электронов, ускоряются. [38]
Суммарный коэффициент, характеризующий как усредненное по всем частотам поглощение, так и рассеяние, называют непрозрачностью плазмы. Диффузия излучения, или лучистая теплопроводность плазмы, зависит только от ее непрозрачности. Умножением непрозрачности на толщину слоя плазмы получают безразмерную величину, которую называют оптической толщиной. Слой плазмы с большой оптической толщиной непрозрачен для излучения. Излучение выходит из этого слоя лишь в силу медленного процесса многократного переизлучения и рассеяния. Такое излучение называют запертым. Оно находится в термическом равновесии с веществом. При этом, как мы увидим, и в самой плазме соблюдается условие детального равновесия и поддерживается термически равновесная ионизация. Напротив, слой плазмы с малой оптической толщиной прозрачен для излучения. Из такого слоя излучение выходит свободно, понятия диффузии излучения и лучистой теплопроводности для него теряют смысл. [39]
Вероятность осуществления того или иного элементарного процесса зависит как от состояния самой плазмы ( температуры, давления), так и от свойств взаимодействующих частиц. Для количественной характеристики элементарных процессов служит параметр, называемый эффективным сечением взаимодействия, который в квантовомеханической трактовке имеет статистический смысл. Представим, что через слой плазмы толщиной dl проходит пучок электронов, движущихся с постоянной скоростью, причем через единицу площади проходит N, электронов к секунду. [40]
На рис. 8, а приведены радиальные собственные функции vr для рассматриваемых вариантов. Область локализации приблизительно 0 7 для всех мод. Вероятно, на очень больших временах в неустойчивость могут вовлекаться и более дальние слои плазмы. [41]
Раньше других были открыты и изучены колебания ограниченной плазмы, которые зависят от существования колебательных слоев в плазме вблизи окружающих ее электродов. Колебательные слои в плазме были открыты в связи с так называемым парадоксом Ленг-мюра ( так назвал возникающее явление Габор), состоящем в сильном рассеянии электронов пучка ( наличие электронов с большими скоростями) и их максвеллизация ( установление максвелловского распределения по скоростям) в положительном столбе газового разряда. Ни столкновения, ни кулоновские силы не могут обеспечить столь сильный обмен энергией между электронами, который приводил бы к этим явлениям. Оказалось, что эти явления связаны с существованием больших градиентов потенциала в колеблющихся слоях плазмы. [42]
 |
Программированное выделение мощншш дан получения сверхсжатого состояния. [43] |
Рассмотрим, однако, следующую схему протекания процесса. Пусть маленькая сферическая мишень подвергается равномерному всестороннему лазерному облучению. На начальных стадиях вокруг твердой мишени образуется плазменная корона. Основная доля подводимой мощности поглощается, как уже отмечалось выше, в тех слоях плазмы, где плотность близка к критической. Если вся подводимая энергия выделяется практически мгновенно, то испарение вещества приводит к образованию ударной волньй распространяющейся внутри мишени. [44]
При увеличении оптической толщины слоя поглощение возрастает, а величина Лдг, как это видно из формулы (1.16), стремится к единице. Это явление называется насыщением линии. Оно, очевидно, может быть отнесено как к линиям поглощения, так и к линиям испускания. Очевидно, что при увеличении толщины слоя центр линии ранее достигнет насыщения; при этом интенсивность линии в центре, как видно из выражения (1.27), достигнет интенсивности излучения черного тела, нагретого до температуры, равной температуре плазмы. Естественно, что в этом случае слой плазмы не будет пропускать излучения от постороннего источника, частота которого попадает в область насыщения. Напомним, что подобная картина имеет место только в условиях, близких к равновесным. В случае нетеплового возбуждения свечения, например при хемилюминесценции, интенсивность линий может значительно превышать интенсивность излучения черного тела, температура которого равна температуре плазмы. [45]
Страницы: 1 2 3 4